CH573 CH582 CH592 CH579 PM例程

CH583 内置有电源管理单元 PMU。系统电源从 VDD33 输入，通过内置的多个 LDO 电压调整器为系 统的 FlashROM、系统的数字电路（包括内核和 USB 等）和系统的模拟电路（包括高频振荡器、PLL、 ADC 和 RF 收发器等）提供所需的电源。GPIO 和 FlashROM 的电源从 VIO33 输入。 正常工作时的电源供电分为两种方式：直接电源和 DC-DC 转换。在正常工作之外，CH583 提供了 4 种低功耗模式：空闲模式、暂停模式、睡眠模式、下电模式。 上电后默认不启用 DC-DC，而是提供直通电源，其电压纹波较小。为了降低正常运行时的系统功 耗，可以选择启用 DC-DC 提升电源能耗利用率，工作电流通常将下降到直通方式的 60%左右。 为了降低睡眠时的系统功耗，可以选择关闭系统主 LDO，切换成由系统内置的超低功耗 ULP-LDO 提供辅助电源。当系统进入睡眠或下电模式时，除了电源管理和 RTC 寄存器等常供电单元外，系统的 高 2KB 和低 30KB 的 SRAM、内核及所有的外设皆可选择是否维持供电，LSE/LSI 可选择是否开启。

在系统复位后，微控制器处于正常运行状态。当 MCU 不需要运行时，可以选择适当的低功耗模式 来节省功耗。用户需要根据最低电源消耗、最快启动时间和可用唤醒事件等条件，选定一个合适的低 功耗模式。 芯片提供以下 4 种主要的低功耗模式：

1.空闲模式(Idle） 所有外设保持正常供电，内核停止运行，时钟系统运转。检测到唤醒事件后，可以立即唤醒。

2.暂停模式(Halt) 在空闲模式的基础上，时钟系统停止。检测到唤醒事件后，首先时钟运转，然后唤醒内核运行。

3.睡眠模式(Sleep)： 主 LDO 关闭，由超低功耗 ULP-LDO 维持 PMU、内核和基本外设供电，LSE 或 LSI 可以选择是否开 启，RAM2K、RAM30K、USB 和 RF 配置可以选择是否维持供电。检测到唤醒事件后，首先主 LDO 开 启，然后时钟运转，最后唤醒内核，程序继续运行，需要时可以重新设置到更高主频。

4.下电模式(Shutdown）： 在睡眠模式的基础上，关闭了内核和基本外设以及 USB 和 RF 配置，LSE 或 LSI 可以选择是否开 启，RAM2K、RAM30K 可以选择是否维持供电。检测到唤醒事件后，PMU 将执行 GRWSM 复位，软件 可根据复位标志 RB_RESET_FLAG 和可选的 RAM 中的保持数据区分于 RPOR。

程序配置可参考EVT中PM例程：

IDLE模式：

#define IDLE_MODE      1
#define HALT_MODE      0
#define SLEEP_MODE     0
#define SHUTDOWN_MODE  0

int main()
{
    SetSysClock(CLK_SOURCE_PLL_32MHz);//配置主频为60M

    GPIOA_ModeCfg(GPIO_Pin_All, GPIO_ModeIN_PU);//将io配置为上拉输入，以防io漏电
    GPIOB_ModeCfg(GPIO_Pin_All, GPIO_ModeIN_PU);//将io配置为上拉输入，以防io漏电

    DebugInit();//串口打印初始化
    PRINT("Start @ChipID=%02x\n", R8_CHIP_ID);
//    DelayMs(200);

#if 1
    /* 配置唤醒源为 GPIO - PA5 */
    GPIOA_ModeCfg(GPIO_Pin_5, GPIO_ModeIN_PU);//配置PA5为上拉输入
    GPIOA_ITModeCfg(GPIO_Pin_5, GPIO_ITMode_FallEdge); // 下降沿唤醒
    PFIC_EnableIRQ(GPIO_A_IRQn);//使能中断服务函数
    PWR_PeriphWakeUpCfg(ENABLE, RB_SLP_GPIO_WAKE, Long_Delay);//使能GPIO唤醒
#endif

#if IDLE_MODE
    PRINT("IDLE mode sleep \n");
//    DelayMs(1);
    LowPower_Idle();//配置为IDLE模式
    PRINT("wake.. \n");
    DelayMs(500);
#endif

    while(1);
}

__attribute__((interrupt("WCH-Interrupt-fast")))
__attribute__((section(".highcode")))
void GPIOA_IRQHandler(void)
{
   GPIOA_ClearITFlagBit(GPIO_Pin_5);
}

HALT模式：

#if HALT_MODE
    PRINT("Halt mode sleep \n");
    DelayMs(2);
    LowPower_Halt();
    HSECFG_Current(HSE_RCur_100); // 降为额定电流(低功耗函数中提升了HSE偏置电流)
    DelayMs(2);
    PRINT("wake.. \n");
    DelayMs(500);
#endif

SLEEP模式：

#if SLEEP_MODE
    PRINT("sleep mode sleep \n");
    DelayMs(2);
    // 注意当主频为80M时，Sleep睡眠唤醒中断不可调用flash内代码。
    LowPower_Sleep(RB_PWR_RAM30K | RB_PWR_RAM2K); //只保留30+2K SRAM 供电
    HSECFG_Current(HSE_RCur_100);                 // 降为额定电流(低功耗函数中提升了HSE偏置电流)
    DelayMs(5);
    PRINT("wake.. \n");
    DelayMs(500);
#endif

SHUTDOWN模式：

#if SHUTDOWN_MODE
    PRINT("shut down mode sleep \n");
    DelayMs(2);
    LowPower_Shutdown(0); //全部断电，唤醒后复位
    /*
     此模式唤醒后会执行复位，所以下面代码不会运行，
     注意要确保系统睡下去再唤醒才是唤醒复位，否则有可能变成IDLE等级唤醒
     */
    HSECFG_Current(HSE_RCur_100); // 降为额定电流(低功耗函数中提升了HSE偏置电流)
    PRINT("wake.. \n");
    DelayMs(500);
#endif