数据存储分析
存储分类
1. RAM: 运行内存，速度快、掉电数据丢失
2. ROM：在单片机中就是Flash。ROM原来指一次性编程存储，后来改善为PROM->EPROM->EEPROM改善增强。Flash是在EPROM的基础上改善而来，相对于EEPROM来说，速度较慢，但都是非易失性存储设备。Flash需要进行扇区读写，EEPROM可以支持字节单位进行擦除和读写。
数据存储
数据存储分为以下几个section：text、const（常量区）、静态数据存储区（bass、data）、栈、堆
text：文本段或者代码段。用于存储代码，在Flash中
const： 常量区。在Flash中。
bass：存放未初始化或初始化为0的全局变量或static变量。上电时，在RAM中分配一段区域（elf文件中有记录区域大小），在变量使用时，在RAM中进行内存分配。
data： 存放初始化非零的全局变量或static变量。掉电时，在Flash中有对应的初始化值存储，上电时，将Flash中的初始值拷贝到RAM中相应变量位置。
栈： 存放局部变量和代码返回地址等信息，在RAM中。
堆： 在启动文件中进行分配大小。在RAM中。
对于需要存储变量实时值，程序掉电重启依然记录之前值的变量：
1. 存储在Flash中，直接在Flash中找一个地址，进行数据存储；
优点： 简单，方便。
缺点：需要计算好代码大小，防止在程序烧录时，被覆盖或者与代码冲突。
2. 外挂EEPROM
参考文章：
