RISC-V MCU开发之外设介绍 - 高速USB(内置PHY)

各类MCU的高速USB外设在使用时通常需外挂专业的高速USB PHY芯片,如常用的32F105/107/205系列MCU,不仅占用了MCU多个GPIO而且还增加了PCB面积。极少部分MCU厂商通过外购第三方的高速USB PHY IP,会增加IP分摊成本,且不便针对高速USB应用需求对收发器性能进行持续迭代。

 

 

RISC-V MCU赤菟V307采用内置自研高速USB PHY方案不仅解决了上述问题,同时实现了在10米(USB-IF标准为5米)传输距离下45MB/s的传输速度。同时可以有效减少EMI问题,且降低芯片成本。

 

 

V307内置的高速USB PHY,结合更优化的时钟数据恢复(CDR)方案,通过对收发器信号质量进行优化和对接收端灵敏度进行提升,加大了USB传输距离。

 

 

沁恒综合市场应用需求以及多年对USB接口技术的研究,对自研的USB控制器也做出了改进与优化,同时配合HPEVTF中断技术具备的高效中断响应速度,进一步提高了USB的传输速度。

针对USB应用V307还具备如下优势:

1. 多端点

在设备模式下增加端点至15个,可满足开发者模拟复合设备对于多端点的需求。

2. 专用DMA

提供USB专用DMA直接访问SRAM,可显著提高数据读写效率。

3. 灵活的内存管理

在芯片内部无需开辟USB外设专用RAM区域,可直接访问SRAM全部区域,便于开发者更加灵活自由地管理与分配内存。

4. USB外设

符合主从角色的双USB外设设计,可在数据透传、数据转发和KM延长等方面发挥优势。

 

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原文链接:https://blog.csdn.net/Taoyukai/article/details/123049846

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