2023年4月11日
NMOS管器件物理特性——速度饱和、短沟道阈值电压效应、亚阈值导电性、沟道调制效应、体效应
摘要： 速度饱和 散射电子极限速度，决定了电流，此时电流和Vgs成正比，不是和Vgs的平方成正比 此时的gm也因为电流饱和了，不会随着Vgs的增大而增大，图像是平缓的 短沟道阈值电压效应 在短沟道时，一般会在D端和S端掺杂P离子，去增加Vth，否则Vth会随着L的减小而减小，这在数字电路中，受噪声的影响会增 阅读全文
posted @ 2023-04-11 10:58 heart-z 阅读(985) 评论(0) 推荐(0) 编辑