NMOS管器件物理特性——速度饱和、短沟道阈值电压效应、亚阈值导电性、沟道调制效应、体效应

速度饱和

散射电子极限速度，决定了电流，此时电流和Vgs成正比，不是和Vgs的平方成正比
此时的gm也因为电流饱和了，不会随着Vgs的增大而增大，图像是平缓的

短沟道阈值电压效应

在短沟道时，一般会在D端和S端掺杂P离子，去增加Vth，否则Vth会随着L的减小而减小，这在数字电路中，受噪声的影响会增大
而在长沟道时，掺杂没有必要，L较大时，掺杂离子，Vth本身没有什么变化

亚阈值导电性

Vg<Vth时，沟道处会形成三极管
Vg变化，Vb会变化，此时三极管的电流会呈现指数的变化

沟道调制效应

体效应

原先的两排电子，现在VB<0，意味着现在可能有四排电子在耗尽层，意味着Vth增大

饱和区