存储器

按存储介质分类

半导体存储器，以半导体器件存储信息（主存，Cache）
磁表面存储器，以磁性材料存储信息：磁盘，磁带
光存储器，以光介质存储信息

按存储方式分类

顺序存储器与直接存取存储器都属于串行访问存储器（按地址访问）:读写某个存储单元所需时间与存储单元的物理位置有关

相联存储器(Associative Memory) ，即可以按内容访问的存储器( CohtentAddressed Memory( CAM) ;可以按照内容检索到存储位置进行读写，“快表” 就是一种相联存储器

按信息可更改方式分类

读写存储器(Read/Write Memory) --即可读、也可写(如:磁盘、内存、Cache)

只读存储器(Read Only Memory) -- 只能读，不能写(如:实体音乐专辑通常采用CD-ROM,实体电影采用蓝光光碟，BIOS通常写在ROM中)

事实上很多ROM也可多次读写，只是比较麻烦

按信息可保护性分类
断电后，存储信息消失的存储器----易失性存储器（主存Cache )
断电后，存储信息依然保持的存储器----非易失性存储器（磁盘、光盘)

信息读出后，原存储信息被破坏-- -破坏性读出(如DRAM芯片，读出数据后要进行重写)
信息读出后，原存储信息不被破坏- - -非破坏性读出( 如SRAM芯片、磁盘、光盘)

存储器的性能指标
1.存储容量:存储字数 x 字长(如1M x 8位) MDR位数反映存储字长
2.单位成本:每位价格=总成本/总容量。
3.存储速度:数据传输率=数据的宽度/存储周期。数据的宽度即存储字长

①存取时间(Ta) :存取时间是指从启动一-次存储器操作到完成该操作所经历的时间，分为读出时间和写入时间。
②存取周期(Tm) :存取周期又称为读写周期或访问周期。它是指存储器进行一次完整的读写操作所需的全部时间，即连续两次独立地访问存储器操作(读或写操作)之间所需的最小时间间隔。
主存带宽(Bm) :主存带宽又称数据传输率，表示每秒从主存进出信息的最大数量，单位为字/秒、宇节/秒(B/s) 或位/秒(b/s)

主存储器的基本组成

片选线：一块存储器可能有多块存储器构成，但是当要固定读取某一存储器时则需要用到片选信号

DRAM和SRAM

Dynamic Random Access Memory,即动态RAM
Static Random Access Memory,即静态RAM
DRAM用于主存、SRAM用于Cache
高频考点: DRAM和SRAM的对比

只读存储器ROM

MROM ( Mask Read-Only Memory) - -掩模式只读存储器厂家按照客户需求，在芯片生产过程中直接写入信息，之后任何人不可重写(只能读出)可靠性高、灵活性差、生产周期长、只适合批量定制

PROM ( Programmable Read-Only Memory) - - - -可编程只读存储器用户可用专门的PROM写入器写入信息，写一次之后就不可更改

EPROM (Erasable Programmable Read-Only Memory) --可擦除可编程只读存储器允许用户写入信息，之后用某种方法擦除数据，可进行多次重写

UVEPROM (ultraviolet rays) -一用紫外线照射8~20分钟，擦除所有信息

EEPROM ( 也常记为E^2PROM，第一个E是Elecrially) --可用“电擦除”的方式，擦除特定的字

Flash Memory-- -闪速存储器( U盘、SD卡就是闪存)每个存储元只需单个MOS管，位密度比RAM高,在EEPROM基础上发展而来，断电后也能保存信息，且可进行多次快速擦除重写，注意:由于闪存需要先擦除在写入，因此闪存的“写”速度要比“读"速度更慢。

SSD (Solid State Drives) - --固态硬盘由控制单元+存储单元(Flash 芯片)构成，与闪速存储器的核心区别在于控制单元不一样，但存储介质都类似，可进行多次快速擦除重写。SSD速度快、功耗低、价格高。目前个人电脑上常用SSD取代传统的机械硬盘。拓:手机辅存也使用Flash芯片，但相比sSD使用的芯片集成度高、功耗低、价格贵