MOS电路-栅源电压保护，漏栅电容影响

栅极-源极尖峰电压保护

在 MOSFET 的栅极和源极之间添加一个外部齐纳二极管，可以有效防止发生静电放电和栅极尖峰电压。但是，齐纳二极管的电容可能有轻微的不良影响。

 

 

最佳栅极电阻器

开关速度根据栅极电阻器值而有所不同。增大栅极电阻器值会降低MOSFET 的开关速度，并增大其开关损耗。减小栅极电阻器值会增大MOSFET 的开关速度， 但由于线路杂散电感和其它因素的影响，可能在其漏极端子和源极端子之间产生了尖峰电压。

因此，选择最佳的栅极电阻器。有时会使用不同的栅极电阻器来开通和关断 MOSFET。图 2 显示了使用不同的栅极电阻器进行开通和关断的示例。

图 2 不同的MOSFET电路

 

栅极故障预防

MOSFET 的一大问题在于其漏栅电容会导致出现寄生开通（自开通）现象。关断后，MOSFET 的源极和漏极之间形成陡峭的 dv／dt。产生的电流经由漏栅电容流到栅极。导致栅极电阻器中发生的电压降提高栅极电压。

 

 

图 3 关断后，漏极与栅极产生寄生电容，抬高栅极，自导通

预防自导通措施

栅极与源极之间添加一个电容器

在栅极和源极之间插入的电容器会吸收因 dv／dt 产生的漏栅电流。由于栅源电容器与 Cgs 在 MOSFET 内部并联连接，因此栅极电荷会增加。如果栅极电压固定，您可以通过改变栅极电阻器值来保持 MOSFET 的开关速度不变，但这样会增大消耗的驱动功率。

 

 

图 4 栅极与源极之间添加电容，改善自导通