【整理中】半导体理论及IC工艺

一、PVT （Process Voltage Temperature）

电压、温度和工艺情况等条件组合，形成 PVT(Process、Voltage、Temperature)条件，用于性能分析（时序分析）。

Voltage & Temperature

Process corner
不同的晶片和不同的批次之间，因为掺杂、刻蚀、温度等外界因素导致MOSFETs参数的变化范围比较大。

为减轻设计困难度，需要将器件性能限制在某个范围内，并报废超出这个范围的芯片，来严格控制预期的参数变化。工艺角即为这个性能范围。

TT：NMOS -Typical corner & PMOS -Typical corner
FF：NMOS -Fast corner & PMOS -Fast corner
SS：NMOS -Slow corner & PMOS -Slow corner
FS：NMOS -Fast corner & PMOS -Slow corner
SF：NMOS -Slow corner & PMOS -Fast corner
注1：Typical是指晶体管驱动电流（Ids）是一个平均值；Fast是指晶体管驱动电流是最大值；Slow是指晶体管驱动电流是最小值。

注2：5种覆盖大约+-3 sigma即约99.73% 的范围。

二、OCV (On-chip Variations)

除了不同晶圆之间，同一晶圆不同芯片之间。同一芯片不同区域之间特性也有差异，主要包括：

1，IR Drop造成局部不同的供电的差异；

2，晶体管阈值电压的差异；

3，晶体管沟道长度的差异；

4，局部热点形成的温度系数的差异；

5，互连线不同引起的电阻电容的差异。

OCV可以描述PVT在单个芯片所造成的影响。更多的时候, 用来考虑长距离走线对时钟路径的影响。

在时序分析时引入derate参数模拟OCV效应，其通过改变时延迟的早晚来影响设计。

【基础文档】半导体基础

1）能带理论