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yvivid
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2020年2月5日
【整理中】IC 失效机理(CMOS工艺)
摘要: IC 四种常见失效机理如下: EM -- electron migration,电子迁移TDDB -- time dependent dielectric breakdown,与时间相关电介质击穿 / 经时击穿NBTI -- negative-bias temperature instability
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posted @ 2020-02-05 11:53 yvivid
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