02 2020 档案

【整理中】IC 失效机理（CMOS工艺）
摘要：IC 四种常见失效机理如下： EM -- electron migration，电子迁移TDDB -- time dependent dielectric breakdown，与时间相关电介质击穿 / 经时击穿NBTI -- negative-bias temperature instability 阅读全文
posted @ 2020-02-05 11:53 yvivid 阅读(11212) 评论(0) 推荐(0)