DDR不同代技术更新

DDR（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory），意为双倍速率同步动态随机存储器，是在SDRAM基础上发展而来的存储器。

DDR分为DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、DDR5。

代数	年份	速率（MT/s）	容量	预取位数	电压（V）
DDR1	2000	200~400	64Mb~1Gb	2n	2.5
DDR2	2003	400~800	256Mb~4Gb	4n	1.8
DDR3	2007	800~2133	512Mb~8Gb	8n	1.5
DDR4	2014	1600~3200	2Gb~16Gb	8n+bank group	1.2
DDR5	2020	3200~6400	8Gb~32Gb	16n+bank group	1.1

DDR1相较SDRAM，实现一个时钟周期内，上升沿和下降沿都做一次数据采样，这样200MHz的主频可以实现400Mbps的数据传输速率。

而从DDR1到DDR5，为了配合整体行业对于性能，容量和省电的不断追求，规范的工作电压越来越低，芯片容量越来越大， IO的速率也越来越高。

在DDR1到DDR3的更新中，提高IO速率是靠提高预取（prefetch）位数实现的。以DDR3为例，它的Prefetch=8n，相当于DDR的每一个IO都有一个宽度为8的buffer，从IO进来8个数据后，在第8个数据进来后，才把这8个数据一次性的写入DDR内部的存储单元。DDR3的时钟是800MHz，Data Rate是1600Mbps，由于这个Buffer的存在，DDR内部的时钟只需要200MHz就可以了（注意DDR内部不是双比特翻转采样）。

但在DDR3到DDR4的更新中，预取位数不变，新增了bank group机制。一个Bank Group内仍然是8倍预取的，IO数据可以在不同Bank Group之间做选择。Bank Group之间是相互独立的，一些列操作不会互相影响，从而当一个Bank Group访问结束后，可以马上切到另外一个Bank Group，这样IO就不用等前一次操作完成才能继续进行数据访问以达到提高速率的目的。

DDR5相较DDR4是通过提高预取位数实现提高IO速率。