STM32_Flash做为存储器储存数据（基本概念）
说到STM32的FLSAH，我们的第一反应是用来装程序的，实际上，STM32的片内FLASH不仅用来装程序，还用来装芯片配置、芯片ID、自举程序等等。当然， FLASH还可以用来装数据。
PS:自己收集了一些资料，现将这些资料总结了一下，不想看的可以直接调到后面看怎么操作就可以了。
FLASH分类
根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
根据用途，STM32片内的FLASH分成两部分：主存储块、信息块。
1.主存储块用于存储程序，我们写的程序一般存储在这里。
2.信息块又分成两部分：系统存储器、选项字节。
①系统存储器存储用于存放在系统存储器自举模式下的启动程序（BootLoader），当使用ISP方式加载程序时，就是由这个程序执行。这个区域由芯片厂写入BootLoader，然后锁死，用户是无法改变这个区域的。
②选项字节存储芯片的配置信息及对主存储块的保护信息。
FLASH的页面
STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区。
STM32的FLASH主存储块按页组织，有的产品每页1KB，有的产品每页2KB。页面典型的用途就是用于按页擦除FLASH。从这点来看，页面有点像通用FLASH的扇区。
STM32产品的分类
STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。小空量产品、中容量产品的BootLoader与大容量产品相同。
STM32根据FLASH主存储块容量、页面的不同，系统存储器的不同，分为小容量、中容量、大容量、互联型，共四类产品。
- 小容量产品主存储块1-32KB， 每页1KB。系统存储器2KB。
- 中容量产品主存储块64-128KB， 每页1KB。系统存储器2KB。
- 大容量产品主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器2KB。
- 互联型产品主存储块256KB以上， 每页2KB。系统存储器18KB。
STM32F101xx、STM32F102xx 、STM32F103xx产品，根据其主存储块容量，一定是小容量、中容量、大容量产品中的一种STM32F105xx、STM32F107xx是互联型产品。
互联型产品与其它三类的不同之处就是BootLoader的不同，小中大容量产品的BootLoader只有2KB，只能通过USART1进行ISP，而互联型产品的BootLoader有18KB，能通过USAT1、4、CAN等多种方式进行ISP。小空量产品、中容量产品的BootLoader与大容量产品相同。
关于ISP与IAP
ISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程（BootLoader）来执行。ISP也有叫ICP（In Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。 IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用户程序部分进行编程，实现在线升级。IAP要求将程序分成两部分：引导程序、用户程序。引导程序总是不变的。IAP也有叫在程序中编程。 ISP与IAP的区别在于，ISP一般是对芯片整片重新编程，用的是芯片厂的自举程序。而IAP只是更新程序的一部分，用的是电器厂开发的IAP引导程序。综合来看，ISP受到的限制更多，而IAP由于是自己开发的程序，更换程序的时候更容易操作。
ISP（In System Programming）在系统编程，是指直接在目标电路板上对芯片进行编程，一般需要一个自举程（BootLoader）来执行。ISP也有叫ICP（In Circuit Programming）、在电路编程、在线编程。 IAP（In Application Programming）在应用中编程，是指最终产品出厂后，由最终用户在使用中对用户程序部分进行编程，实现在线升级。IAP要求将程序分成两部分：引导程序、用户程序。引导程序总是不变的。IAP也有叫在程序中编程。 ISP与IAP的区别在于，ISP一般是对芯片整片重新编程，用的是芯片厂的自举程序。而IAP只是更新程序的一部分，用的是电器厂开发的IAP引导程序。综合来看，ISP受到的限制更多，而IAP由于是自己开发的程序，更换程序的时候更容易操作。
FPEC
FPEC(FLASH Program/Erase controller 闪存编程/擦除控制器)，STM32通过FPEC来擦除和编程FLASH。FPEC使用7个寄存器来操作闪存：
FPEC(FLASH Program/Erase controller 闪存编程/擦除控制器)，STM32通过FPEC来擦除和编程FLASH。FPEC使用7个寄存器来操作闪存：
- FPEC键寄存器(FLASH_KEYR) 写入键值解锁。
- 选项字节键寄存器(FLASH_OPTKEYR) 写入键值解锁选项字节操作。
- 闪存控制寄存器(FLASH_CR) 选择并启动闪存操作。
- 闪存状态寄存器(FLASH_SR) 查询闪存操作状态。
- 闪存地址寄存器(FLASH_AR) 存储闪存操作地址。
- 选项字节寄存器(FLASH_OBR) 选项字节中主要数据的映象。
- 写保护寄存器(FLASH_WRPR) 选项字节中写保护字节的映象。
键值
为了增强安全性，进行某项操作时，须要向某个位置写入特定的数值，来验证是否为安全的操作，这些数值称为键值。STM32的FLASH共有三个键值：
RDPRT键 = 0x000000A5 用于解除读保护
KEY1 = 0x45670123 用于解除闪存锁
KEY2 = 0xCDEF89AB 用于解除闪存锁
闪存锁
在FLASH_CR中，有一个LOCK位，该位为1时，不能写FLASH_CR寄存器，从而也就不能擦除和编程FLASH，这称为闪存锁。
在FLASH_CR中，有一个LOCK位，该位为1时，不能写FLASH_CR寄存器，从而也就不能擦除和编程FLASH，这称为闪存锁。
当LOCK位为1时，闪存锁有效，只有向FLASH_KEYR依次写入KEY1、KEY2后，LOCK位才会被硬件清零，从而解除闪存锁。
当LOCK位为1时，对FLASH_KEYR的任何错误写操作（第一次不是KEY1，或第二次不是KEY2），都将会导致闪存锁的彻底锁死，一旦闪存锁彻底锁死，在下一次复位前，都无法解锁，只有复位后，闪存锁才恢复为一般锁住状态。
复位后，LOCK位默认为1，闪存锁有效，此时，可以进行解锁。解锁后，可进行FLASH的擦除编程工作。任何时候，都可以通过对LOCK位置1来软件加锁，软件加锁与复位加锁是一样的，都可以解锁。
复位后，LOCK位默认为1，闪存锁有效，此时，可以进行解锁。解锁后，可进行FLASH的擦除编程工作。任何时候，都可以通过对LOCK位置1来软件加锁，软件加锁与复位加锁是一样的，都可以解锁。
主存储块的擦除
主存储块可以按页擦除，也可以整片擦除。
主存储块可以按页擦除，也可以整片擦除。
页擦除
主存储块的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除。 建议使用以下步骤进行页擦除：
主存储块的任何一页都可以通过FPEC的页擦除功能擦除。 建议使用以下步骤进行页擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位。以确认没有其他正在进行的闪存操作。必须等待BSY位为0，才能继续操作。2．设置FLASH_CR寄存器的PER位为1。选择页擦除操作。3．设置FLASH_AR寄存器为要擦除页所在地址，选择要擦除的页。FLASH_AR的值在哪一页范围内，就表示要擦除哪一页。4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1，启动擦除操作。5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。7．读出被擦除的页并做验证。擦完后所有数据位都为1。
关于主存储块擦除编程操作的一些疑问
1． 为什么每次都要检查BSY位是否为0？
因为BSY位为1时，不能对任何FPEC寄存器执行写操作，所以必须要等BSY位为0时，才能执行闪存操作。
2． 如果没有擦除就进行编程，会出现什么结果？
STM32在执行编程操作前，会先检查要编程的地址是否被擦除，如果没有，则不进行编程，并置FLASH_SR寄存器的PGERR位为1。唯一例外的是，当要编程的数据为0X0000时，即使未擦除，也会进行编程，因为0X0000即使擦除也可以正确编程。
3． 为什么操作后要读出数据并验证？
STM32在某些特殊情况下（例如FPEC被锁住），可能根本就没有执行所要的操作，仅通过寄存器无法判断操作是否成功。所以，保险起见，操作后都要读出所有数据检查。
4． 等待BSY位为1的时间以多少为合适？
请参考STM32固件库中的数据。
5． FLASH编程手册上说进行闪存操作（擦除或编程）时，必须打开内部的RC振荡器(HSI)，是不是一定要用HIS进行闪存的擦除及编程操作？
对于这点，我的理解是，进行闪存操作时，必须要保证HIS没有被关闭，但是操作时的系统仍然可以是HSE时钟。STM32复位后，HIS默认是开的，只要你不为了低功耗去主动关闭它，则用什么时钟都可以进行闪存操作的。我所编的程序也验证了这一点。
因为BSY位为1时，不能对任何FPEC寄存器执行写操作，所以必须要等BSY位为0时，才能执行闪存操作。
2． 如果没有擦除就进行编程，会出现什么结果？
STM32在执行编程操作前，会先检查要编程的地址是否被擦除，如果没有，则不进行编程，并置FLASH_SR寄存器的PGERR位为1。唯一例外的是，当要编程的数据为0X0000时，即使未擦除，也会进行编程，因为0X0000即使擦除也可以正确编程。
3． 为什么操作后要读出数据并验证？
STM32在某些特殊情况下（例如FPEC被锁住），可能根本就没有执行所要的操作，仅通过寄存器无法判断操作是否成功。所以，保险起见，操作后都要读出所有数据检查。
4． 等待BSY位为1的时间以多少为合适？
请参考STM32固件库中的数据。
5． FLASH编程手册上说进行闪存操作（擦除或编程）时，必须打开内部的RC振荡器(HSI)，是不是一定要用HIS进行闪存的擦除及编程操作？
对于这点，我的理解是，进行闪存操作时，必须要保证HIS没有被关闭，但是操作时的系统仍然可以是HSE时钟。STM32复位后，HIS默认是开的，只要你不为了低功耗去主动关闭它，则用什么时钟都可以进行闪存操作的。我所编的程序也验证了这一点。
选项字节
选项字节用于存储芯片使用者对芯片的配置信息。
目前，所有的STM32101xx、STM32102xx、STM32103xx、STM32105xx、STM32107xx产品，选项字节都是16字节。但是这16字节，每两个字节组成一个正反对，即，字节1是字节0的反码，字节3是字节2的反码，字节15是字节14的反码，所以，芯片使用者只要设置8个字节就行了，另外8个字节系统自动填充为反码。因此，有时候，也说STM32的选项字节是8个字节，但是占了16字节的空间。选项字节的8字节正码概述如下：
RDP 字节0。读保护字节，存储对主存储块的读保护设置。
USER 字节2。用户字节，配置看门狗、停机、待机。
Data0 字节4。数据字节0，由芯片使用者自由使用。
Data1 字节6。数据字节1，由芯片使用者自由使用。
WRP0 字节8。写保护字节0，存储对主存储块的写保护设置。
WRP1 字节10。写保护字节1，存储对主存储块的写保护设置。
WRP2 字节12。写保护字节2，存储对主存储块的写保护设置。
WRP3 字节14。写保护字节3，存储对主存储块的写保护设置。
选项字节用于存储芯片使用者对芯片的配置信息。
目前，所有的STM32101xx、STM32102xx、STM32103xx、STM32105xx、STM32107xx产品，选项字节都是16字节。但是这16字节，每两个字节组成一个正反对，即，字节1是字节0的反码，字节3是字节2的反码，字节15是字节14的反码，所以，芯片使用者只要设置8个字节就行了，另外8个字节系统自动填充为反码。因此，有时候，也说STM32的选项字节是8个字节，但是占了16字节的空间。选项字节的8字节正码概述如下：
RDP 字节0。读保护字节，存储对主存储块的读保护设置。
USER 字节2。用户字节，配置看门狗、停机、待机。
Data0 字节4。数据字节0，由芯片使用者自由使用。
Data1 字节6。数据字节1，由芯片使用者自由使用。
WRP0 字节8。写保护字节0，存储对主存储块的写保护设置。
WRP1 字节10。写保护字节1，存储对主存储块的写保护设置。
WRP2 字节12。写保护字节2，存储对主存储块的写保护设置。
WRP3 字节14。写保护字节3，存储对主存储块的写保护设置。
选项字节写使能
在FLASH_CR中，有一个OPTWRE位，该位为0时，不允许进行选项字节操作（擦除、编程）。这称为选项字节写使能。只有该位为1时，才能进行选项字节操作。 该位不能软件置1，但可以软件清零。只有向FLASH_OPTKEYR依次写入KEY1和KEY2后，硬件会自动对该位置1，此时，才允许选项字节操作。这称为解锁（打开）选项字节写使能。该位为1后，可以由软件清零，关闭写使能。复位后，该位为0。错误操作不会永远关闭写使能，只要写入正确的键序列，则又可以打开写使能。写使能已打开时，再次打开，不会出错，并且依然是打开的。 很显然，进行选项字节操作前，先要解开闪存锁，然后打开选项字节写使能，之后，才能进行选项字节操作。
在FLASH_CR中，有一个OPTWRE位，该位为0时，不允许进行选项字节操作（擦除、编程）。这称为选项字节写使能。只有该位为1时，才能进行选项字节操作。 该位不能软件置1，但可以软件清零。只有向FLASH_OPTKEYR依次写入KEY1和KEY2后，硬件会自动对该位置1，此时，才允许选项字节操作。这称为解锁（打开）选项字节写使能。该位为1后，可以由软件清零，关闭写使能。复位后，该位为0。错误操作不会永远关闭写使能，只要写入正确的键序列，则又可以打开写使能。写使能已打开时，再次打开，不会出错，并且依然是打开的。 很显然，进行选项字节操作前，先要解开闪存锁，然后打开选项字节写使能，之后，才能进行选项字节操作。
选项字节擦除
建议使用如下步骤对选项字节进行擦除：
建议使用如下步骤对选项字节进行擦除：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的闪存操作。2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即，打开写使能。3．设置FLASH_CR寄存器的OPTER位为1。选择选项字节擦除操作。4．设置FLASH_CR寄存器的STRT位为1。5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。7．读出选项字节并验证数据。
由于选项字节只有16字节，因此，擦除时是整个选项字节都被擦除了。
选项字节编程
建议使用如下步骤对选项字节进行编程：
建议使用如下步骤对选项字节进行编程：
1．检查FLASH_SR寄存器的BSY位，以确认没有其他正在进行的编程操作。2．解锁FLASH_CR寄存器的OPTWRE位。即打开写使能。3．设置FLASH_CR寄存器的OPTPG位为1。选择编程操作。4．写入要编程的半字到指定的地址。启动编程操作。5．等待FLASH_SR寄存器的BSY位变为0，表示操作完成。6．查询FLASH_SR寄存器的EOP位，EOP为1时，表示操作成功。7．读出写入的选项字节并验证数据。 对选项字节编程时，FPEC使用半字中的低字节并自动地计算出高字节(高字节为低字节的反码)，并开始编程操作，这将保证选项字节和它的反码始终是正确的。
主存储块的保护
可以对主存储块中的数据进行读保护、写保护。 读保护用于保护数据不被非法读出。防止程序泄密。 写保护用于保护数据不被非法改写，增强程序的健壮性。
读保护
主存储块启动读保护后，简单的说具有以下特性：
主存储块启动读保护后，简单的说具有以下特性：
1．从主存储块启动的程序，可以对整个主存储块执行读操作，不允许对主存储块的前4KB进行擦除编程操作，可以对4KB之后的区域进行擦除编程操作。
2．从SRAM启动的程序，不能对主存储块进行读、页擦除、编程操作，但可以进行主存储块整片擦除操作。
3．使用调试接口不能访问主存储块。这些特性足以阻止主存储器数据的非法读出，又能保证程序的正常运行。
只有当RDP选项字节的值为RDPRT键值时，读保护才被关闭，否则，读保护就是启动的。因此，擦除选项字节的操作，将启动主存储块的读保护。如果要关闭读保护，必须将RDP选项字节编程为RDPRT键值。并且，如果编程选项字节，使RDP由非键值变为键值（即由保护变为非保护）时，STM32将会先擦除整个主存储块，再编程RDP。芯片出厂时，RDP会事先写入RDPRT键值，关闭写保护功能。
写保护
STM32主存储块可以分域进行写保护。如果试图对写保护的域进行擦除或编程操作，在闪存状态寄存器(FLASH_SR)中会返回一个写保护错误标志。STM32主存储块每个域4KB，WRP0-WRP3选项字节中的每一位对应一个域，位为0时，写保护有效。对于超过128KB的产品，WRP3．15保护了域31及之后的所有域。显然，擦除选项字节将导致解除主存储块的写保护。
STM32主存储块可以分域进行写保护。如果试图对写保护的域进行擦除或编程操作，在闪存状态寄存器(FLASH_SR)中会返回一个写保护错误标志。STM32主存储块每个域4KB，WRP0-WRP3选项字节中的每一位对应一个域，位为0时，写保护有效。对于超过128KB的产品，WRP3．15保护了域31及之后的所有域。显然，擦除选项字节将导致解除主存储块的写保护。
选项字节与它的寄存器映象
我们知道，FPEC有两个寄存器存储了选项字节的映象。那么，选项字节本体（在FLASH中）与映象（在寄存器中）究竟有什么区别呢？
选项字节的本体只是个FLASH，它的作用只是掉电存储选项字节内容而以，真正起作用的是寄存器中的映象。即，一个配置是否有效，不是看本体，而是看映象。而映象是在复位后，用本体的值加载的，此后，除非复位，映象将不再改变。所以，更改本体的数据后，不会立即生效，只有复位加载到映象中后，才会生效。 有一点要注意的是，当更改本体的值，使主存储块读保护变为不保护时，会先擦除整片主存储块，然后再改变本体。这是唯一一个改变本体会引发的动作。但即使这样，读保护依然要等到复位后，加载到映象后，才会解除。
选项字节的本体只是个FLASH，它的作用只是掉电存储选项字节内容而以，真正起作用的是寄存器中的映象。即，一个配置是否有效，不是看本体，而是看映象。而映象是在复位后，用本体的值加载的，此后，除非复位，映象将不再改变。所以，更改本体的数据后，不会立即生效，只有复位加载到映象中后，才会生效。 有一点要注意的是，当更改本体的值，使主存储块读保护变为不保护时，会先擦除整片主存储块，然后再改变本体。这是唯一一个改变本体会引发的动作。但即使这样，读保护依然要等到复位后，加载到映象后，才会解除。
关于FLASH编程手册中文版的几处错误（不一定是，但是与我的理解不符）
1．选项字节编程一节中：
对FPEC解锁后，必须分别写入KEY1和KEY2(见2.3.1节)到FLASH_OPTKEYR寄存器，再设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为’1’，此时可以对选项字节进行编程。实际上，对FLASH_OPTKEYR写入KEY1和KEY2后，OPTWRE位会被硬件置1，而不是用软件写1。这一点在后面的寄存器描述中也可以得到验证。
对FPEC解锁后，必须分别写入KEY1和KEY2(见2.3.1节)到FLASH_OPTKEYR寄存器，再设置FLASH_CR寄存器的OPTWRE位为’1’，此时可以对选项字节进行编程。实际上，对FLASH_OPTKEYR写入KEY1和KEY2后，OPTWRE位会被硬件置1，而不是用软件写1。这一点在后面的寄存器描述中也可以得到验证。
2．对读保护的描述中：
对读保护的数值对无法理解。正确的应该是，RDP为RDPRT键值时，解除读保护，为其它值时，读保护生效。
对读保护的数值对无法理解。正确的应该是，RDP为RDPRT键值时，解除读保护，为其它值时，读保护生效。
看了半天，原来只要几句就可以解决，当然是不考虑其他功能，只是简单的读写操作。
其中写操作如下：
FLASH_Unlock(); //解锁FLASH编程擦除控制器
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
/*********************************************************************************
// FLASH_FLAG_BSY FLASH忙标志位
// FLASH_FLAG_EOP FLASH操作结束标志位
// FLASH_FLAG_PGERR FLASH编写错误标志位
// FLASH_FLAG_WRPRTERR FLASH页面写保护错误标净 **********************************************************************************/
FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR); //擦除指定地址页
FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_START_ADDR+(addr+i)*2,dat); //从指定页的addr地址开始写
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
FLASH_Lock(); //锁定FLASH编程擦除控制器
从上面可以看出基本顺序是：解锁->清除标志位（可以不要）->擦除->写半字->清楚标志位（也可以不要）->上锁。其中FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255,0x8000000是Flash的起始地址，2048是因为我用的是大容量芯片，根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K，即2048字节，255表示芯片的最后一页，这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。addr*2是因为每个数据占用2字节（半字），虽然写入的是1字节数据，但是编程是2字节为单位，也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。
读操作如下：
u16 value;
value = *(u16*)(FLASH_START_ADDR+(addr*2));//从指定页的addr地址开始读
其中写操作如下：
FLASH_Unlock(); //解锁FLASH编程擦除控制器
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
/*********************************************************************************
// FLASH_FLAG_BSY FLASH忙标志位
// FLASH_FLAG_EOP FLASH操作结束标志位
// FLASH_FLAG_PGERR FLASH编写错误标志位
// FLASH_FLAG_WRPRTERR FLASH页面写保护错误标净 **********************************************************************************/
FLASH_ErasePage(FLASH_START_ADDR); //擦除指定地址页
FLASH_ProgramHalfWord(FLASH_START_ADDR+(addr+i)*2,dat); //从指定页的addr地址开始写
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY|FLASH_FLAG_EOP|FLASH_FLAG_PGERR|FLASH_FLAG_WRPRTERR);//清除标志位
FLASH_Lock(); //锁定FLASH编程擦除控制器
从上面可以看出基本顺序是：解锁->清除标志位（可以不要）->擦除->写半字->清楚标志位（也可以不要）->上锁。其中FLASH_START_ADDR是宏定义的0x8000000+2048*255,0x8000000是Flash的起始地址，2048是因为我用的是大容量芯片，根据上一笔记Flash地址可以看出芯片每页容量2K，即2048字节，255表示芯片的最后一页，这个根据不同芯片而定。之所以从后面页写起可以防止储存数据破坏用户程序。addr*2是因为每个数据占用2字节（半字），虽然写入的是1字节数据，但是编程是2字节为单位，也就是说一个字节的数据也会占用两个字节地址。
读操作如下：
u16 value;
value = *(u16*)(FLASH_START_ADDR+(addr*2));//从指定页的addr地址开始读
