第一期_Nand flash
NAND_FLASH操作原理
NAND FLASH原理图
NAND FLASH是一个存储芯片
那么: 这样的操作很合理"读地址A的数据，把数据B写到地址A"
问1. 原理图上NAND FLASH和S3C2440之间只有数据线，怎么传输地址？
答1．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址当ALE为高电平时传输的是地址，
那么在数据线上是不是只传输数据和只传输地址呢？
我们参考NAND FLASH的芯片手册可以知道，对NAND FLASH的操作还需要发出命令，下面有个NAND FLASH的命令表格
问2. 从NAND FLASH芯片手册可知，要操作NAND FLASH需要先发出命令怎么传入命令？
答2．在DATA0～DATA7上既传输数据，又传输地址，也传输命令：
1. 当ALE为高电平时传输的是地址。
2. 当CLE为高电平时传输的是命令。
3. 当ALE和CLE都为低电平时传输的是数据。
问3. 数据线既接到NAND FLASH，也接到NOR FLASH，还接到SDRAM、DM9000等等,怎么避免干扰？
答3. 这些设备，要访问必须"选中"，没有选中的芯片不会工作，相当于没接一样。
问4. 假设烧写NAND FLASH，把命令、地址、数据发给它之后，NAND FLASH肯定不可能瞬间完成烧写的，怎么判断烧写完成？
答4. 通过状态引脚RnB来判断：它为高电平表示就绪，它为低电平表示正忙
问5. 怎么操作NAND FLASH呢？
答5. 根据NAND FLASH的芯片手册，一般的过程是：
发出命令
发出地址
发出数据/读数据
每个NAND FLASH都内嵌一些ID(譬如：厂家ID，设备ID)，时序图从左往右看，纵向放是一列一列的看。
对于我们s3c2440来说，内部集成了一个NAND FLASH控制器，2440和外设连接的简易图，如下图所示
NAND FLASH控制器，帮我们简化了对NAND FLASH的操作，下面来分析一下不使用NAND FLASH控制器和使用NAND FLASH控制器对外设NAND FLASH的操作。
发命令：
| Nand flash | s3c2440 |
| 选中芯片 | NFCMMD=命令值 |
| CLE设为高电平 | |
| 在DATA0~DATA7上输出命令值 | |
| 发出一个写脉冲 |
发地址：
| NAND FLASH | S3C2440 |
| 选中芯片 | NFADDR=地址值 |
| ALE设为高电平 | |
| 在DATA0~DATA7上输出地址值 | |
| 发出一个写脉冲 |
发数据：
| NAND FLASH | S3C2440 |
| 选中芯片 | NFDATA=数据值 |
| ALE,CLE设为低电平 | |
| 在DATA0~DATA7上输出数据值 | |
| 发出一个写脉冲 |
读数据 ：
| NAND FLASH |
|
|
|
val=NFDATA | |
| 发出读脉冲 | ||
| 读DATA0~DATA7的数据 |
用UBOOT来体验NAND FLASH的操作：
1. 读ID
| S3C2440 | u-boot | |
| 选中 | NFCONT的bit1设为0 | md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1 |
| 发出命令0x90 | NFCMMD=0x90 | mw.b 0x4E000008 0x90 |
| 发出地址0x00 | NFADDR=0x00 | mw.b 0x4E00000C 0x00 |
| 读数据得到0xEC | val=NFDATA | md.b 0x4E000010 1 |
| 读数据得到device code | val=NFDATA | md.b 0x4E000010 1 |
| 退出读ID的状态 | NFCMMD=0xff | mw.b 0x4E000008 0xff |
对于存储为256M的NAND FLASH，需要28条地址线，来表示这个地址值，根据原理图可以，只用8根地址线，所以需要4个周期的地址，为了兼容更大容量的NAND FLASH，要发出5个周期的地址：（如下图所示）
2，读数据
| S3C2440 | u-boot | ||
| 选中 | NFCONT的bit1设为0 | md.l 0x4E000004 1; mw.l 0x4E000004 1 | |
| 发出命令0x00 |
|
mw.b 0x4E000008 0x00 | |
| 发出地址0x00 | NFADDR=0x00 | mw.b 0x4E00000C 0x00 | |
| 发出地址0x00 | NFADDR=0x00 | mw.b 0x4E00000C 0x00 | |
| 发出地址0x00 | NFADDR=0x00 | mw.b 0x4E00000C 0x00 | |
| 发出地址0x00 | NFADDR=0x00 | mw.b 0x4E00000C 0x00 | |
| 发出地址0x00 | NFADDR=0x00 | mw.b 0x4E00000C 0x00 | |
| 发出命令0x30 | NFCMMD=0x30 | mw.b 0x4E000008 0x30 | |
| 读数据得到0x17 | val=NFDATA | md.b 0x4E000010 1 | |
| 读数据得到0x00 | val=NFDATA | md.b 0x4E000010 1 | |
| 读数据得到0x00 | val=NFDATA | md.b 0x4E000010 1 | |
| 读数据得到0xea | val=NFDATA | md.b 0x4E000010 1 | |
| 退出读状态 | NFCMMD=0xff | mw.b 0x4E000008 0xff |
NandFlash时序及初始化
| 存储芯片的编程 | NAND FLASH存储芯片编程 |
|---|---|
| 初始化 | 主控芯片的NAND FLASH控制器的初始化 |
| 识别 | 读取ID |
| 读操作 | 一次读一个页(page) |
| 写操作 | 一次写一个页(page) |
| 擦除 | 一次擦除一个块(block) |
NAND FLASH控制器的时序，是为了让NAND FLASH外设工作起来，假如外接不同的 NAND FLASH外设，那么它的操作时序可能就会不同，所以NAND FLASH控制器发出 的时序图，就是不一样的，所以我们根据NAND FLASH外设来设置NAND FLASH控制器，
NAND FLASH时序图，如下所示：
我们在汇编语言中已经设置HCLK为100MHZ，一个周期T = 1000/100 = 10s，通过上面三个图可以知道：TACLS的值可以为0；TWRPH0的值可以为1；TWRPH1的值可以为0。
所以NFCONF寄存器设置如下：
#define TACLS 0
#define TWRPH0 1
#define TWRPH1 0
/*设置NAND FLASH的时序*/
NFCONF = (TACLS<<12) | (TWRPH0<<8) | (TWRPH1<<4);
到此设置NAND FLASH的时序已经设置完了，我们接着来使能，使能实在NFCONT。
MODE [0]: 设置为1，使能NAND FLASH。
Reg_nCE [1]: 设置为1，禁止片选。因为我们现在还没有使用。为例错误的操作。
InitECC [4]: 初始化ECC的编码器，后边要使用，我们设置为1，来初始化。
所以NFCONF寄存器设置如下：
/*使能NAND FLASH控制器,初始化ECC，禁止片选*/
NFCONT = (1<<4) | (1<<1) | (1<<0);
NandFlash的芯片id读取
上节课我们讲解了NAND FLASH的初始化，这节课我们来讲解读取NAND FLASH的ID, 我们可以参考NAND FLASHh的芯片手册，如下图所示：（NAND FLASH读操作时序图）
我们一般先操作片选使能，只有片选使能之后才能进行后边的操作，片选是能代码如下：
void nand_select(void)
{
/*使能片选*/
NFCONT &=~(1<<1);
}
有使能片选，一定有禁止片选，禁止片选的代码如下：
void nand_deselect(void)
{
/*禁止片选*/
NFCONT |= (1<<1);
}
我们按照从左往右的时间点，来分析，片选信号像一个总开关，只有使能了片选信号，后续的操作才会有意义，我们使能片选信号之后，片选引脚nCE后续一直为低电平，在前面的命令时序图中知道tCLS和tWP最小的时间参数都是12us，就表明CLE和nWE这两个信号可以同时发出，就表示要命令了，对于写什么命令，就要看数据总线上要发送的命令了，当CLE从高电平变为低电平后，表示上次的写操作已经结束了。
对于上面复杂的时序，我们可以使用2440上的NAND FLASH控制器简化操作，只需要往NFCMMD寄存器写入要传输的命令就可以了，NAND FLASH控制器默认把上面复杂的时序发出来。
发命令后，后面就需要发送地址了，当nWE和ALE有效的时候，表示写地址，上图中，要写入的地址是0x00，当ALE从高电平变为低电平的时候，表示写地址结束，我们可以简化为:往NFADDR寄存器中写值就可以了，比如：NFADDR=0x00。
下面我们写代码：发命令的函数，和发地址的函数代码如下：
void nand_cmd(unsigned char cmd)
{
volatile int i;
NFCCMD = cmd;
for(i=0; i<10; i++);
}
void nand_addr_byte(unsigned char addr)
{
volatile int i;
NFADDR = addr;
for(i=0; i<10; i++);
}
接下来就可以读取数据了，数据可以直接通过读取NFDATA寄存器里面数据来获得数据，根据时序图，是读5个字节的数据，代码如下：
unsigned char nand_data(void)
{
return NFDATA;
}
读芯片ID之前先打开片选， 读取芯片ID函数，代码如下：
1 void nand_chip_id(void) 2 { 3 unsigned char buf[5]={0}; 4 5 nand_select(); 6 nand_cmd(0x90); 7 nand_addr_byte(0x00); 8 9 buf[0] = nand_data(); 10 buf[1] = nand_data(); 11 buf[2] = nand_data(); 12 buf[3] = nand_data(); 13 buf[4] = nand_data(); 14 nand_deselect(); 15 16 printf("maker id = 0x%x\n\r",buf[0]); 17 printf("device id = 0x%x\n\r",buf[1]); 18 printf("3rd byte = 0x%x\n\r",buf[2]); 19 printf("4th byte = 0x%x\n\r",buf[3]); 20 printf("page size = %d kb\n\r",1 << (buf[3] & 0x03)); 21 printf("block size = %d kb\n\r",64 << ((buf[3] >> 4) & 0x03)); 22 printf("5th byte = 0x%x\n\r",buf[4]); 23 }
1 void nand_flash_test(void) 2 { 3 char c; 4 5 while (1) 6 { 7 /* 打印菜单, 供我们选择测试内容 */ 8 printf("[s] Scan nand flash\n\r"); 9 printf("[e] Erase nand flash\n\r"); 10 printf("[w] Write nand flash\n\r"); 11 printf("[r] Read nand flash\n\r"); 12 printf("[q] quit\n\r"); 13 printf("Enter selection: "); 14 15 c = getchar(); 16 printf("%c\n\r", c); 17 18 /* 测试内容: 19 * 1. 识别nand flash 20 * 2. 擦除nand flash某个扇区 21 * 3. 编写某个地址 22 * 4. 读某个地址 23 */ 24 switch (c) 25 { 26 case 'q': 27 case 'Q': 28 return; 29 break; 30 31 case 's': 32 case 'S': 33 nand_chip_id(); 34 break; 35 36 case 'e': 37 case 'E': 38 break; 39 40 case 'w': 41 case 'W': 42 break; 43 44 case 'r': 45 case 'R': 46 break; 47 default: 48 break; 49 } 50 } 51 }
在主函数中调用nand flash的初始化函数，和nand flash的测试函数。
1 int main(void) 2 { 3 led_init(); 4 //interrupt_init(); /* 初始化中断控制器 */ 5 key_eint_init(); /* 初始化按键, 设为中断源 */ 6 //timer_init(); 7 8 puts("\n\rg_A = "); 9 printHex(g_A); 10 puts("\n\r"); 11 12 //nor_flash_test(); 13 nand_init(); 14 nand_flash_test(); 15 16 return 0; 17 }
NandFlash的数据读取
在上节 我们实现了芯片ID的读取，可是那个程序已经超过了4k，我们想把它烧到开发板的话，必需把它烧写到NOR FLASH上去，这节我们来讲解NAND FLASH数据的读取，并且实现超过4k的程序从NAND FLASH启动。
下图为NAND FLASH内部结构图，从图中可以可以知道，一个page含有2k 字节的页数据，和64字节的oob区，后面会介绍页数据和oob区有什么关系。
下图的表格，来说明NAND FLASH内部结构，前面2K(0~2047)表示页数据，后边64字节(2048~2111)表示oob。
问：CPU想读取，第2048个数据，它是哪以一个？
答：是Page1的第0个字节。CPU使用某个地址访问数据的时候，是在页数据空间来寻址的，根本就看不到oob区。
我们知道NAND FLASH 和 NOR FLASH相比有个缺点，NAND FLASH读或写一页数据的时候，可能会发生位反转，里面可能有一位是错误的，为了解决这个问题，引入oob区， 它写页数据的时候，把数据写进页数据的同时会生成一个校验码，把这个校验码写进oob区里面，当读数据的时候，读出1页数据，读取1数据里面有可能有某一位发生错误，它继续读出原来的校验码，使用oob区里面的校验码，来修正页数据里面的数据。从这里我们可以得出一个结论，oob区的存在是为了解决NAND FLASH的缺陷而存在的。
CPU: 只关心数据，不需要看到oob区的校验码(把数据读出来，然后进行校验再把正确的数据返回，就可以了)。CPU想使用某个addr来访问数据的时候，addr是在页数据区间来寻址的，addr根本不会在oob区里面寻址。
为了形象在下面说一个幽默的对话来说明一下CPU和NAND FLASH的功能：
CPU大爷: 小nand啊，你的性能比不上小nor啊，听说你有位反转的毛病
Nand : 是的，大爷，位反转是我天生的毛病，时有时无
CPU大爷: 靠，你说你价格便宜容量大，这不是害我嘛
Nand : 没事，我有偏方，用OOB就可以解决这问题
CPU大爷: 得得得，你那偏方是什么也别告诉我，我只管能读写正确的数据
Nand : 是的，大爷，我这OOB偏方也就我自个私下使用。您就像使用nor一样使唤我就可以了
下面我们开始写程序，想去读NAND FLASH应该怎样操作,下面是nand flash的地址周期。
下图为读NAND FLASH的时序操作：
读NAND FLASH步骤：(从程序的角度来说)，我们需要先发出00命令再发出5个周期的地址，再发出30命令，然后就可以读数据了。比如：我想访问某个地址的数据，需要确定在哪一行page(row)，在哪一列col(0~2047)。从NAND FLASH的地址周期中可以看出来，先发出2个col(列地址)，再发出3个(Row)行地址。 下面是程序的编写：
wait_ready函数等待NAND FLASHh空闲，从上图可以看出当NFSTAT寄存器[0]的值为1时NAND FLASH是空闲的，我们可以通过该位来判断NAND FLASH是否繁忙。代码如下：
1 void wait_ready(void) 2 { 3 while (!(NFSTAT & 1)); 4 }
nand_read函数为NAND FLASH的读函数，代码如下：
1 void nand_read(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len) 2 { 3 int i = 0; 4 int page = addr / 2048; 5 int col = addr & (2048 - 1); 6 7 nand_select(); 8 9 while (i < len) 10 { 11 /* 发出00h命令 */ 12 nand_cmd(00); 13 14 /* 发出地址 */ 15 /* col addr */ 16 nand_addr_byte(col & 0xff); 17 nand_addr_byte((col>>8) & 0xff); 18 19 /* row/page addr */ 20 nand_addr_byte(page & 0xff); 21 nand_addr_byte((page>>8) & 0xff); 22 nand_addr_byte((page>>16) & 0xff); 23 24 /* 发出30h命令 */ 25 nand_cmd(0x30); 26 27 /* 等待就绪 */ 28 wait_ready(); 29 30 /* 读数据 */ 31 for (; (col < 2048) && (i < len); col++) 32 { 33 buf[i++] = nand_data(); 34 } 35 if (i == len) 36 break; 37 38 col = 0; 39 page++; 40 } 41 42 nand_deselect(); 43 }
在init.c文件中，加上如下代码，用来判断所使用的FLASH是NOR FLASH还是NAND FLASH。代码如下：
1 int isBootFromNorFlash(void) 2 { 3 volatile unsigned int *p = (volatile unsigned int *)0; 4 unsigned int val = *p;//把原来的p中的内容保存起来 5 6 *p = 0x12345678; 7 if (*p == 0x12345678) 8 { 9 /* 写成功, 对应nand启动 */ 10 *p = val; 11 return 0; 12 } 13 else 14 { 15 return 1; 16 } 17 }
在init.c文件中的copy2sdram函数里面加上如下代码，用来支持NAND FLASH启动，当isBootFromNorFlash函数的返回值为1时，是从NOR FLASH启动，当isBootFromNorFlash函数的返回值为0是，是从NAND FLASH启动。
1 if (isBootFromNorFlash()) 2 { 3 while (dest < end) 4 { 5 *dest++ = *src++; 6 } 7 } 8 else 9 { 10 nand_init(); 11 nand_read(src, dest, len); 12 } 13 }
NandFlash的擦除与烧写
我们本节需要做的事情：
1，实现nand_erase
2, 实现nand_write
3, 实现测试菜单
本节讲的NAND FLASH的烧写和擦除还是比较简单的，它只涉及到页数据区，不涉及到oob区，擦出的时候是以块为单位。下图为擦除的时序图：
我们就根据擦除的时序图发出对应的命令和地址，NAND FLASH是以块为单位进行擦除的，假如我们传入len的值为1，但是它仍然会擦出一个块（128k字节），我们根据芯片手册，来操作NAND FLASH的擦除操作，函数功能：从addr地址开始，擦除len长度的数据。代码如下：
1 int nand_erase(unsigned int addr, unsigned int len) 2 { 3 int page = addr / 2048;//确定在第几页 4 5 if (addr & (0x1FFFF))//？ 6 { 7 printf("nand_erase err, addr is not block align\n\r"); 8 return -1; 9 } 10 11 if (len & (0x1FFFF))//？ 12 { 13 printf("nand_erase err, len is not block align\n\r"); 14 return -1; 15 } 16 17 nand_select(); //片选 18 19 while (1) 20 { 21 page = addr / 2048;//在第几页 22 23 nand_cmd(0x60); 24 25 /* row/page addr */ 26 nand_addr_byte(page & 0xff); 27 nand_addr_byte((page>>8) & 0xff); 28 nand_addr_byte((page>>16) & 0xff); 29 30 nand_cmd(0xD0); 31 32 wait_ready(); 33 34 len -= (128*1024); 35 if (len == 0) 36 break; 37 addr += (128*1024); 38 } 39 40 nand_deselect(); //取消片选 41 return 0; 42 }
操作NAND FLASH之前要，选中芯片，然后就可以根据芯片手册来操作NAND FLASH的擦除操作了，操作完之后，要取消片选。
往NAND FLASH写数据时，只需要把要写的数据复制给NFDATA寄存器即可。代码如下：
1 void nand_w_data(unsigned char val) 2 { 3 NFDATA = val; 4 }
下图为烧写的时序图：
从上图中的NAND FLASH烧写时序图可以知道对于NAND FLASH的烧写，先发出0x80命令，再发出地址周期，然后发出要烧写的数据，最后发出0x10，就开始内部烧写，然后等待烧写成功。（我们写数据的时候是逐页写的，开始要烧写的数据地址可能不是该页的起始地址）。操作之前需要选中片选，操作完之后取消片选
1 void nand_write(unsigned int addr, unsigned char *buf, unsigned int len) 2 { 3 int page = addr / 2048;//在第几行 4 int col = addr & (2048 - 1);//在第几列 5 int i = 0; 6 7 nand_select(); 8 9 while (1) 10 { 11 nand_cmd(0x80); 12 13 /* 发出地址 */ 14 /* col addr */ 15 nand_addr_byte(col & 0xff); 16 nand_addr_byte((col>>8) & 0xff); 17 18 /* row/page addr */ 19 nand_addr_byte(page & 0xff); 20 nand_addr_byte((page>>8) & 0xff); 21 nand_addr_byte((page>>16) & 0xff); 22 23 /* 发出数据 */ 24 for (; (col < 2048) && (i < len); ) 25 { 26 nand_w_data(buf[i++]); 27 } 28 nand_cmd(0x10); 29 wait_ready(); 30 31 if (i == len) 32 break; 33 else 34 { 35 /* 开始下一个循环page */ 36 col = 0; 37 page++; 38 } 39 40 } 41 42 nand_deselect(); 43 }
我们封装擦除操作NAND FLASH函数的时候，每一次擦除的大小是一个块(128*1024)代码如下：
void do_erase_nand_flash(void) { unsigned int addr; /* 获得地址 */ printf("Enter the address of sector to erase: "); addr = get_uint(); printf("erasing ...\n\r"); nand_erase(addr, 128*1024);//从哪开始，擦除多大 }
1 void do_read_nand_flash(void) 2 { 3 unsigned int addr; 4 volatile unsigned char *p; 5 int i, j; 6 unsigned char c; 7 unsigned char str[16]; 8 unsigned char buf[64]; 9 10 /* 获得地址 */ 11 printf("Enter the address to read: "); 12 addr = get_uint(); 13 14 nand_read(addr, buf, 64); 15 p = (volatile unsigned char *)buf; 16 17 printf("Data : \n\r"); 18 /* 长度固定为64 */ 19 for (i = 0; i < 4; i++) 20 { 21 /* 每行打印16个数据 */ 22 for (j = 0; j < 16; j++) 23 { 24 /* 先打印数值 */ 25 c = *p++; 26 str[j] = c; 27 printf("%02x ", c); 28 } 29 30 printf(" ; "); 31 32 for (j = 0; j < 16; j++) 33 { 34 /* 后打印字符 */ 35 if (str[j] < 0x20 || str[j] > 0x7e) /* 不可视字符 */ 36 putchar('.'); 37 else 38 putchar(str[j]); 39 } 40 printf("\n\r"); 41 } 42 }
NAND FLASH的烧写封装函数代码如下：
1 void do_write_nand_flash(void) 2 { 3 unsigned int addr; 4 unsigned char str[100]; 5 int i, j; 6 unsigned int val; 7 8 /* 获得地址 */ 9 printf("Enter the address of sector to write: "); 10 addr = get_uint(); 11 12 printf("Enter the string to write: "); 13 gets(str); 14 15 printf("writing ...\n\r"); 16 nand_write(addr, str, strlen(str)+1); 17 18 }
NAND FLASH的测试菜单函数代码如下：
1 void nand_flash_test(void) 2 { 3 char c; 4 5 while (1) 6 { 7 /* 打印菜单, 供我们选择测试内容 */ 8 printf("[s] Scan nand flash\n\r"); 9 printf("[e] Erase nand flash\n\r"); 10 printf("[w] Write nand flash\n\r"); 11 printf("[r] Read nand flash\n\r"); 12 printf("[q] quit\n\r"); 13 printf("Enter selection: "); 14 15 c = getchar(); 16 printf("%c\n\r", c); 17 18 /* 测试内容: 19 * 1. 识别nand flash 20 * 2. 擦除nand flash某个扇区 21 * 3. 编写某个地址 22 * 4. 读某个地址 23 */ 24 switch (c) 25 { 26 case 'q': 27 case 'Q': 28 return; 29 break; 30 31 case 's': 32 case 'S': 33 nand_chip_id(); 34 break; 35 36 case 'e': 37 case 'E': 38 do_erase_nand_flash(); 39 break; 40 41 case 'w': 42 case 'W': 43 do_write_nand_flash(); 44 break; 45 46 case 'r': 47 case 'R': 48 do_read_nand_flash(); 49 break; 50 default: 51 break; 52 } 53 } 54 }
