电路-半导体and三极管andMOS管的基础知识

1. 半导体

N型半导体：
自由电子多，带负电。N：Negative
P型半导体：
空穴多，带正点。P：Positive
PN结

空间电荷区（耗尽层）形成内电场，方向N区指向P区。在电场力的作用下，空穴和电子产生漂移运动（在电场力作用下载流子的运动），空穴从N区漂移回P区，电子从P区漂流N区。在无外电场的作用下，参与扩散运动（浓度差）的多子数目等于参与漂移运动的少字数目，达到动态平衡，形成PN结。
PN结的正向导电性

外加如图所示正向电压，在外电场的作用下将多数载流子推向空间电荷区，导致其变窄，消弱了内电场，破坏了平衡使扩散运动加剧，漂移运动减弱，从而形成正向电流，PN结导通。（导通时候压降只有零点几V）
PN结加反向电压处于截至状态

外加如图所示外电压，空间电荷区变宽，加强了内电场，阻止扩散运动，加剧了漂移运动，形成反向电流（漂移电流），但是少数载流子数目极少，即使都参加也可以忽略不计。所以认为PN结处于截至状态。

2. 三极管

放大状态的外部条件：
发射结正偏集电结反偏（正偏：发射极的电压小于基极电压，反偏：集电极的电压大于基极电压。相对于基极来说）
如：

此电路输入3.3V时候为三极管导通状态

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芯片手册上的重点参数
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3. MOS管

1.看箭头方向确定MOS管类型
2.只要Ugs的电压大于开启电压就导通，
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原理
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