单片机IO驱动继电器电路的误区
单片机IO驱动继电器电路的误区
采用下图,改变电阻R,测试结果如下:
1)R=2K,VCC=5V,此时VCE=0.96V,线圈电压4.04V。
2)R=4K,VCC=5V,此时VCE=1.2V,线圈电压3.8V
3)R=6K,VCC=5V,此时VCE=1.6V,线圈电压3.4V。(Ib=0.126mA,Ie=28.2mA,Ic=27.9mA,放大倍数221)
这几种情况下,8550工作在放大状态。而继电器要求8550工作在饱和区,当开关使。继续缩小R,也许会使得效果有改善,但不见得是最佳电路,适应范围小。
采用下图2,实测结果如下:
1)R=2K,VCC=5.02V,此时VCE=0.037V,线圈电压4.983V。(Ib=2.14mA,Ie=39.3mA,Ic=37.5mA,VR=4.285V,VEB=VCB=0.7V左右)
2)R=6K,VCC=5.02V,此时VCE=0.06V,线圈电压4.96V。
可见,R大小对线圈两端电压影响较小,达到继电器要求。8550一直工作在饱和区,达到设计要求。
单独测试继电器,VCC缓慢增加时,到3.4V时吸合;VCC下降到1.1V是断开。如果8550没有工作在饱和区,即便线圈两端有4.0V以上的电压,继电器吸合了,但并不工作在稳定状态,此乃设计的大忌。
对资料和网站上的东东,尤其是中文的资料,对外文的翻译资料,一定要批判地继承,谁也不能信。谢谢!~