[问题点数:100分，结帖人:GaryLiu1104]
GaryLiu1104
(Gary Liu)
等 级：
结帖率：100.00%
楼主发表于：2009-12-24 13:52:19
ATMEL at91sam9261，操作系统Wince5.0，256M的三星K9F2G08闪存，系统用了32M，其他是NandFlash文件系统，BSP用的是ATMEL官网公布的BSP。
一般情况下向NandFlash中读写文件都是正常的，但是长时间连续（大约一个多月，每10分钟大约写1M的文件，存储到100多M时会删除部分数据）多次写文件，删除文件重启后，NandFlash就不能写入了，一写入就会死机，读文件还都是正常的，看调试信息，发现逻辑0块被标记为坏块，擦除闪存后可恢复正常，而且逻辑0块可以擦除恢复正常。
各位兄弟有没有遇到类似问题的，出问题的原因可能有哪些呢？麻烦帮忙分析分析。
回复次数：28
gooogleman
(有问题请到博客留言O(∩_∩))
等 级：
5
5
3
#1楼 得分：10回复于：2009-12-24 13:55:37
没有看到过哦，呵呵。真的不懂。
精华推荐：2450板子跑400M没有问题，跑533M播放CMMB电视会死机？？？
rzsheng
(Kevin)
等 级：
#2楼 得分：0回复于：2009-12-24 13:57:26
flash出现坏块了，重新格式化就应该是可以了
精华推荐：printf 和 RETAILMSG 打印出来的消息不一致？
yashi
(老斩)
等 级：
#3楼 得分：20回复于：2009-12-24 14:03:21
flash的驱动里面最重要是要做块的管理，对于写操作，还要做均衡算法；估计是你的这个驱动算法有问题。
精华推荐：关于ARM中断处理的问题----《ARM嵌入式系统开发-软件设计与优化》第九章中疑问
xqhrs232
等 级：
#4楼 得分：0回复于：2009-12-24 14:05:53
这个真的是老大难的问题啊!
精华推荐：WinCE 串口蓝牙
GaryLiu1104
(Gary Liu)
等 级：
#5楼 得分：0回复于：2009-12-24 14:10:38
引用 2 楼 rzsheng 的回复:
flash出现坏块了，重新格式化就应该是可以了
格式化肯定可以恢复正常，使用过程出现坏块是可以正常标记处理的，逻辑0块其实并没有坏，而误标记为坏块的，这样导致整个文件系统就不能再写东西了，一写就死机。
kyzf
(铭记理想，追求卓越)
等 级：
5
#6楼 得分：0回复于：2009-12-24 14:25:53
一般逻辑0块，都是用作特殊功能信息的储存；
我们也是用Wince6.0，256M的三星K9F2G08，我们的逻辑0块就用来储存ntim 和坏块重分配表。
一般不会逻辑0块 为坏块的。
liuysheng
(liuysheng)
等 级：
#7楼 得分：0回复于：2009-12-24 14:49:55
LZ应该是破坏了NAND的MBR信息，就是在第0块
Reallyu
(Show me the mon)
等 级：
#8楼 得分：20回复于：2009-12-24 15:14:22
nandflash 频繁写的话,问题还真是比较多
wince里面,坏块管理和负载均衡的算法都是PB自带,ms提供的,BSP里面只要实现物理读写flash的函数就行了
按道理来说不应该有什么问题
可是我们也碰到过类似LZ的问题.因为我们那个项目的数据量比较小,但是读写频繁,后来就干脆存放在e2prom里面了.
没有去深究这个问题的真正原因.
猜测和异常断电这类的原因有关???
希望有高手来指点下.
而且我一直不太明白,三星的FMD驱动为什么要把每个block的page数强制设置成256
#define PAGES_PER_BLOCK 256 // Phisical 64 * logical 4
这样小页的flash需要用8个block来模拟一个大的block,不是严重影响写nand的性能.
对于大页的flash就没有什么问题
难道这么做就是为了兼容,不过现在小页的flash确实用的越来越少了.
sailorlyq
等 级：
#9楼 得分：0回复于：2009-12-24 17:48:36
你不是说逻辑0块坏掉了吗？重新擦写当然会重新出现逻辑0块，但这个逻辑0块在物理上可能已经换到别的块去了。
GaryLiu1104
(Gary Liu)
等 级：
#10楼 得分：0回复于：2009-12-25 09:28:36
引用 8 楼 reallyu 的回复:
nandflash 频繁写的话,问题还真是比较多
wince里面,坏块管理和负载均衡的算法都是PB自带,ms提供的,BSP里面只要实现物理读写flash的函数就行了
按道理来说不应该有什么问题
可是我们也碰到过类似LZ的问题.因为我们那个项目的数据量比较小,但是读写频繁,后来就干脆存放在e2prom里面了.
没有去深究这个问题的真正原因.
猜测和异常断电这类的原因有关???
希望有高手来指点下.
而且我一直不太明白,三星的FMD驱动为什么要把每个block的page数强制设置成256
#define PAGES_PER_BLOCK 256 // Phisical 64 * logical 4
这样小页的flash需要用8个block来模拟一个大的block,不是严重影响写nand的性能.
对于大页的flash就没有什么问题
难道这么做就是为了兼容,不过现在小页的flash确实用的越来越少了.
可能与断电有关系，现在拿了几台在公司模拟测试呢，运行情况比较好的，大半年了也没出问题的。
BSP里面代码是很简单，只是把一些FMD接口实现，所以出问题也不知道从哪里找，实在不行准备直接进行读写了，不用文件系统了，这个问题真的弄的很郁闷。
pilixuanke
(轩客)
等 级：
#11楼 得分：0回复于：2009-12-25 09:39:55
ce6中不是带了FAL的源代码了吗？把它拿出来，加点调试信息，分析一下，看是在什么时候将0块标记为坏块的。
pilixuanke
(轩客)
等 级：
#12楼 得分：0回复于：2009-12-25 09:41:31
引用 10 楼 garyliu1104 的回复:
引用 8 楼 reallyu 的回复:
nandflash 频繁写的话,问题还真是比较多
wince里面,坏块管理和负载均衡的算法都是PB自带,ms提供的,BSP里面只要实现物理读写flash的函数就行了
按道理来说不应该有什么问题
可是我们也碰到过类似LZ的问题.因为我们那个项目的数据量比较小,但是读写频繁,后来就干脆存放在e2prom里面了.
没有去深究这个问题的真正原因.
猜测和异常断电这类的原因有关???
希望有高手来指点下.
而且我一直不太明白,三星的FMD驱动为什么要把每个block的page数强制设置成256
#define PAGES_PER_BLOCK 256 // Phisical 64 * logical 4
这样小页的flash需要用8个block来模拟一个大的block,不是严重影响写nand的性能.
对于大页的flash就没有什么问题
难道这么做就是为了兼容,不过现在小页的flash确实用的越来越少了.
可能与断电有关系，现在拿了几台在公司模拟测试呢，运行情况比较好的，大半年了也没出问题的。
BSP里面代码是很简单，只是把一些FMD接口实现，所以出问题也不知道从哪里找，实在不行准备直接进行读写了，不用文件系统了，这个问题真的弄的很郁闷。
这样模拟测试也找不出什么头绪啊。
GaryLiu1104
(Gary Liu)
等 级：
#13楼 得分：0回复于：2009-12-25 13:39:35
引用 11 楼 pilixuanke 的回复:
ce6中不是带了FAL的源代码了吗？把它拿出来，加点调试信息，分析一下，看是在什么时候将0块标记为坏块的。
用的CE5.0，现在模拟测试主要是看看在哪个环节可能导致问题的产生。
xuefeng_baggio
(天道酬勤！)
等 级：
#14楼 得分：0回复于：2009-12-25 13:51:39
刚把1g08驱动调好，还没测试，这个问题是不是和系统文件系统有关系呢？关注中..
guopeixin
(懒羊羊)
等 级：
#15楼 得分：30回复于：2009-12-25 17:22:28
引用 13 楼 garyliu1104 的回复:
引用 11 楼 pilixuanke 的回复:
ce6中不是带了FAL的源代码了吗？把它拿出来，加点调试信息，分析一下，看是在什么时候将0块标记为坏块的。
用的CE5.0，现在模拟测试主要是看看在哪个环节可能导致问题的产生。
1. 你测试出来问题的机台测试方法是：十分钟写1MB&测试一个多月&中间频繁重启
没有问题的机台方法是：大半年了也没出问题
从这点上看测试方法并不一样呀，没啥可比性呀
2. 建议去掉机器重启的动作，以避免电压电流波动对flash ic的影响，重新挂机，不过时间比较长哦
这个测试的目的是验证是否是电压电流波动对数据产生的影响
guopeixin
(懒羊羊)
等 级：
#16楼 得分：0回复于：2009-12-25 17:23:10
引用 15 楼 guopeixin 的回复:
引用 13 楼 garyliu1104 的回复:
引用 11 楼 pilixuanke 的回复:
ce6中不是带了FAL的源代码了吗？把它拿出来，加点调试信息，分析一下，看是在什么时候将0块标记为坏块的。
用的CE5.0，现在模拟测试主要是看看在哪个环节可能导致问题的产生。
1. 你测试出来问题的机台测试方法是：十分钟写1MB&测试一个多月&中间频繁重启
没有问题的机台方法是：大半年了也没出问题
从这点上看测试方法并不一样呀，没啥可比性呀
2. 建议去掉机器重启的动作，以避免电压电流波动对flash ic的影响，重新挂机，不过时间比较长哦
这个测试的目的是验证是否是电压电流波动对数据产生的影响
以前十分钟写1M，一个月出现问题，现在你就不停的写，不停地删除，浮现问题应该比较快
gsymichael
(哥解的不是Bug，是寂寞！)
等 级：
#17楼 得分：10回复于：2009-12-25 22:04:31
引用 16 楼 guopeixin 的回复:
引用 15 楼 guopeixin 的回复:
引用 13 楼 garyliu1104 的回复:
引用 11 楼 pilixuanke 的回复:
ce6中不是带了FAL的源代码了吗？把它拿出来，加点调试信息，分析一下，看是在什么时候将0块标记为坏块的。
用的CE5.0，现在模拟测试主要是看看在哪个环节可能导致问题的产生。
1. 你测试出来问题的机台测试方法是：十分钟写1MB&测试一个多月&中间频繁重启
没有问题的机台方法是：大半年了也没出问题
从这点上看测试方法并不一样呀，没啥可比性呀
2. 建议去掉机器重启的动作，以避免电压电流波动对flash ic的影响，重新挂机，不过时间比较长哦
这个测试的目的是验证是否是电压电流波动对数据产生的影响
以前十分钟写1M，一个月出现问题，现在你就不停的写，不停地删除，浮现问题应该比较快
顶。Flash问题就得不断测试。
gooogleman
(有问题请到博客留言O(∩_∩))
等 级：
5
5
3
#18楼 得分：0回复于：2009-12-26 08:36:19
考验功夫的时候来了！
GaryLiu1104
(Gary Liu)
等 级：
#19楼 得分：0回复于：2009-12-26 19:14:45
引用 16 楼 guopeixin 的回复:
引用 15 楼 guopeixin 的回复:
引用 13 楼 garyliu1104 的回复:
引用 11 楼 pilixuanke 的回复:
ce6中不是带了FAL的源代码了吗？把它拿出来，加点调试信息，分析一下，看是在什么时候将0块标记为坏块的。
用的CE5.0，现在模拟测试主要是看看在哪个环节可能导致问题的产生。
1. 你测试出来问题的机台测试方法是：十分钟写1MB&测试一个多月&中间频繁重启
没有问题的机台方法是：大半年了也没出问题
从这点上看测试方法并不一样呀，没啥可比性呀
2. 建议去掉机器重启的动作，以避免电压电流波动对flash ic的影响，重新挂机，不过时间比较长哦
这个测试的目的是验证是否是电压电流波动对数据产生的影响
以前十分钟写1M，一个月出现问题，现在你就不停的写，不停地删除，浮现问题应该比较快
通过几天的测试：问题可以重现，Flash频繁写擦，1分钟1M，且多次调用文件读写函数，用5台测试一周，有两台出现问题，闪存一写就死机，看启动信息这两台均出现坏块，但是擦除后闪存重新整理就没有坏块了，说明是假坏块。不知道有没有朋友做过类似的测试，是不是CE5这么用闪存就可能会出现问题呢？现在打算改程序，减少闪存的使用，原因继续查找中。。有进展的话再和大家分享。
joyzml
(朱铭雷)
等 级：
#20楼 得分：0回复于：2009-12-27 13:57:08
此贴应该加精
深度讨论
嘎嘎
——————————————————————————
JOYZML（菜鸟朱铭雷）
GaryLiu1104
(Gary Liu)
等 级：
#21楼 得分：0回复于：2009-12-28 17:33:54
今天在闪存FMD函数中加入调试信息发现，写或者改闪存中文件的文件名时，系统其实没死，只是一直在进行下面的操作，只不过界面上鼠标没响应，看着"假死"了。
->FMD_GetBlockStatus //进入FMD_GetBlockStatus函数
->FRS=18100 //FMD_ReadSector函数读取0x18100
<-FRZ = 2 //读spare区
<-FMD_GetBlockStatus//FMD_GetBlockStatus函数执行结束
->FRS=18100//FMD_ReadSector函数读取0x18100
<-FRZ = 2//读spare区
->FRS=18100//FMD_ReadSector函数读取0x18100
<-FRZ = 1//读data区
->FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
<-FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
->FRS=FB40
<-FRZ = 1
->FMD_GetBlockStatus
->FRS=18100
<-FRZ = 2
<-FMD_GetBlockStatus
->FRS=18100
<-FRZ = 2
->FRS=18100
<-FRZ = 1
->FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
<-FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
->FRS=FB40
<-FRZ = 1
....一直循环运行
一直在Get 0xFB40和0x18100的状态，和读两个扇区中的数据。
我把两个扇区的内容读出来比较发现，内容基本相同，但是有几个字节的一位不对，比如一个是0xE0一个为0xA0。
我想是不是系统是要把一个扇区的内容写到另一个扇区（有个扇区为数据备份扇区），但是操作总是不成功，所以就一直循环操作。
但是没出问题前或恢复一下怎么写文件，改文件名等都是正常的。系统写文件到闪存时，不成功为什么不直接返回失败，而一直在死循环里面走的，有点不明白，望高手指教。
guopeixin
(懒羊羊)
等 级：
#22楼 得分：0回复于：2009-12-28 19:24:05
引用 21 楼 garyliu1104 的回复:
今天在闪存FMD函数中加入调试信息发现，写或者改闪存中文件的文件名时，系统其实没死，只是一直在进行下面的操作，只不过界面上鼠标没响应，看着"假死"了。
->FMD_GetBlockStatus //进入FMD_GetBlockStatus函数
->FRS=18100 //FMD_ReadSector函数读取0x18100
<-FRZ = 2 //读spare区
<-FMD_GetBlockStatus//FMD_GetBlockStatus函数执行结束
->FRS=18100//FMD_ReadSector函数读取0x18100
<-FRZ = 2//读spare区
->FRS=18100//FMD_ReadSector函数读取0x18100
<-FRZ = 1//读data区
->FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
<-FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
->FRS=FB40
<-FRZ = 1
->FMD_GetBlockStatus
->FRS=18100
<-FRZ = 2
<-FMD_GetBlockStatus
->FRS=18100
<-FRZ = 2
->FRS=18100
<-FRZ = 1
->FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
<-FMD_GetBlockStatus
->FRS=FB40
<-FRZ = 2
->FRS=FB40
<-FRZ = 1
....一直循环运行
一直在Get 0xFB40和0x18100的状态，和读两个扇区中的数据。
我把两个扇区的内容读出来比较发现，内容基本相同，但是有几个字节的一位不对，比如一个是0xE0一个为0xA0。
我想是不是系统是要把一个扇区的内容写到另一个扇区（有个扇区为数据备份扇区），但是操作总是不成功，所以就一直循环操作。
但是没出问题前或恢复一下怎么写文件，改文件名等都是正常的。系统写文件到闪存时，不成功为什么不直接返回失败，而一直在死循环里面走的，有点不明白，望高手指教。
lz确实是蛮有细心和耐心的，距离问题的解决不远了
fal里面是有一些类似的bug，你看一下你的读写失败的情况下是否返回了错误的值
seth1104
(liugang)
等 级：
#23楼 得分：10回复于：2009-12-29 21:36:04
快沉了，帮顶！
yulewjx
等 级：
#24楼 得分：0回复于：2009-12-29 22:01:27
帮楼主顶。
gowyz
(gowyz)
等 级：
#25楼 得分：0回复于：2009-12-30 16:22:59
低级格式化
houwenjie_0
等 级：
#26楼 得分：0回复于：2009-12-31 12:50:21
我用的是NOR Flash，写几次就会报disk full，搞不清楚怎么回事儿！
GaryLiu1104
(Gary Liu)
等 级：
#27楼 得分：0回复于：2010-01-07 08:15:03
下午结贴，最终决定数据缓存不用文件系统了，只保留了32M的fat系统用来存储配置文件，一般是只读的。其他的闪存区域自己来管理存储数据。
zwtchy123
(zwtchy123)
等 级：
#28楼 得分：0回复于：2010-01-07 08:35:13
uping
