校招基础——IC工艺

1、 最能描述集成电路工艺技术水平的技术指标是（B）

A、晶片直径 B、特征尺寸 C、芯片面积 D、封装

 

2、 相同工艺条件下，下列哪种逻辑的组合逻辑延迟最长（A）

A、2输入异或门 B、2输入与非门

C、2输入或门 D、1输入反相器

 

3、对于90nm制程芯片，合法的电压，环境温度范围内，以下哪种情况内部信号速度最快：（B）

A:温度低，电压低

B:温度低，电压高

C:温度高，电压低

D:温度高，电压高

 

4、电容的作用包括（A,CEF）

A、去耦

B、采样保持

C、交流耦合

D、分压

E、储能

F、滤波

解析：电容的作用（1）隔直流（2）旁路（去耦）（3）耦合（4）滤波（5）温度补偿（6）计时（7）调谐（8）整流（9）储能

 

5、相同的size下，哪种cell漏电最小（D）

A、HVT B、RVT C、LVT D、ULVT

 

6、半导体工艺中，掺杂有哪几种方式？ 

根据掺入的杂质不同，杂质半导体可以分为N型和P型两大类。 N型半导体中掺入的杂质为磷等五价元素，磷原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，多余的第五个价电子很容易摆脱磷原子核的束缚而成为自由电子，于是半导体中的自由电子数目大量增加，自由电子成为多数载流子，空穴则成为少数载流子。P型半导体中掺入的杂质为硼或其他三价元素，硼原子在取代原晶体结构中的原子并构成共价键时，将因缺少一个价电子而形成一个空穴，于是半导体中的空穴数目大量增加，空穴成为多数载流子，而自由电子则成为少数载流子。

 

7、工艺分类和基础电路的工艺流程？

TTL,CMOS两种比较流行，TTL速度快功耗高，CMOS速度慢功耗低；

集成电路的工艺流程：氧化，离子注入，光刻，腐蚀，扩散，淀积等。

 

8、天线效应的概念和解决办法？