ROM/PROM/EPROM/EEPROM/RAM/SRAM/DRAM/SDRAM/FLASH
一、ROM
只读存储器（Read-Only Memory,ROM）以非破坏性读出方式工作,只能读出无法写入信息。信息一旦写入后就固定下来,即使切断电源,信息也不会丢失,所以又称为固定存储器。ROM内部的资料是在ROM的制造工序中,在工厂里用特殊的方法被烧录进去的,其中的内容只能读不能改,一旦烧录进去,用户只能验证写入的资料是否正确,不能再作任何修改。如果发现资料有任何错误,则只有舍弃不用,重新订做一份。ROM是在生产线上生产的,由于成本高,一般只用在大批量应用的场合。
二、PROM
由于ROM制造和升级的不便,后来人们发明了PROM(Programmable ROM,可编程ROM)。最初从工厂中制作完成的PROM内部并没有资料,用户可以用专用的编程器将自己的资料写入,但是这种机会只有一次,一旦写入后也无法修改,若是出了错误,已写入的芯片只能报废。PROM的特性和ROM相同,但是其成本比ROM高,而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢,一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
三、EPROM
EPROM(Erasable Programmable ROM,可擦除可编程ROM)芯片可重复擦除和写入,解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征,在其正面的陶瓷封装上,开有一个玻璃窗口,透过该窗口,可以看到其内部的集成电路,紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据,完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器,并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压(VPP=12-24V,随不同的芯片型号而定)。EPROM芯片在写入资料后,还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住,以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。
四、EEPROM
EPROM(Electrically Erasable Programmable ROM,电可擦除可编程ROM)的擦除不需要借助于其它设备,它是以电子信号来修改其内容的,而且是以Byte为最小修改单位,不必将资料全部洗掉才能写入,彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EPROM在写入数据时,仍要利用一定的编程电压,此时,只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容,所以,它属于双电压芯片。
五、RAM
随机存取存储器（Random Access Memory，RAM），也叫主存，是与CPU直接交换数据的内部存储器。它可以随时读写（刷新时除外），而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储介质。RAM工作时可以随时从任何一个指定的地址写入（存入）或读出（取出）信息。它与ROM的最大区别是数据的易失性，即一旦断电所存储的数据将随之丢失。RAM在计算机和数字系统中用来暂时存储程序、数据和中间结果。
六、SRAM
静态随机存取存储器（Static Random-Access Memory，SRAM）是随机存取存储器的一种。所谓的“静态”，是指这种存储器只要保持通电，里面储存的数据就可以恒常保持。当电力供应停止时，SRAM储存的数据还是会消失（被称为volatile memory），这与在断电后还能储存资料的ROM或闪存是不同的。
七、DRAM
动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）使用电容存储数据，只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，必须隔一段时间刷新（refresh）一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。
SRAM 不需要动态刷新，速度快，性能高，但是功耗大、集成度低，同时体积也比 DRAM 大，由此 SRAM 的造价更高。
八、SDRAM
同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。
第一代 SDRAM 是 SDR 单数据速率，其后第二代 DDR SDRAM、第三代 DDR2 SDRAM、第四代 DDR3 SDRAM、第五代 DDR4 SDRAM 均为双倍速率的存储器，一般简称 DDR（Double Data Rate）。
九、Flash
Flash 存储器，又叫闪存，非易失性存储器件。它结合了 RAM 和 ROM 的优点，既能电可擦除可编程，不掉电丢数据（ROM），又能快速读写数据（RAM），但是还是不如 RAM 快。U盘大部分使用的是 Flash 技术。它分为NAND FLASH和NOR FLASH，NOR FLASH读取速度比NAND FLASH快，但是容量不如NAND FLASH，价格上也更高，但是NOR FLASH可以芯片内执行，应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NAND FLASH密度更大，可以作为大数据的存储。
