摘要：
4本书推荐《AI芯片开发核心技术详解》、《智能汽车传感器：原理·设计·应用》、《TVM编译器原理与实践》、《LLVM编译器原理与实践》 由清华大学出版社资深编辑赵佳霓老师策划编辑的新书《AI芯片开发核心技术详解》已经出版，京东、淘宝天猫、当当等网上，相应陆陆续续可以购买。该书强力解析AI芯片的核心技 阅读全文
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用于非均匀二次谐波产生的光子集成电路 摘要：GaAs基激光器与倍频波导的异质集成为在所谓的绿隙中实现可扩展相干源提供了一条清晰的途径，但到目前为止，倍频系统一直依赖于单独制造的激光器来提供足够的功率用于二次谐波产生。在这项工作中，提出了一种光子集成电路（PIC），它减轻了对集成倍频器的性能要求。两个 阅读全文
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迈向基于离子的大规模集成电路：离子电子元件的电路级设计、仿真和集成 离子电子学将离子作为电荷载体与类电子操作相结合，实现了独特的信息处理、化学调节和增强的生物可整合性。标准仿真工具在有效模拟集成离子电子元件的行为方面遇到了困难，这突显了对专门设计和仿真方法的需求。介绍了一种离子电子集成电路的设计方法 阅读全文
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D.动态名单和提前终止 我们提出了一种动态列表和提前终止策略，以在图遍历过程中利用这些信息，如算法1所示。我们观察到，大多数查询在较小的T（候选列表大小）处收敛（找到它们的真实k-NN）。进一步增加T不会提高这些查询的召回率，只会增加计算成本。图6-（a）显示了DiskANN的这一趋势。我们看到在小 阅读全文
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3D NAND中基于图的近似最近邻搜索的Proxima近存储加速 摘要——近似最近邻搜索（ANNS）在各种应用中起着不可或缺的作用，包括推荐系统、信息检索和语义搜索。在尖端的ANNS算法中，基于图的方法在海量数据集上提供了卓越的准确性和可扩展性。然而，性能最好的基于图的ANN搜索解决方案需要数百个内 阅读全文
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另一种具有FG的3D NAND结构是HC-FG结构，如图8a所示。与DC-SF结构不同，水平信道堆叠在HC-FG架构中；然而，单元格没有被CG包围。因此，FG单元可以通过沟道优先工艺堆叠，类似于传统的2D平面灰阵列，并且可以以低成本实现3D结构。此外，如图8b所示，HC-FG结构与层选择晶体管（LS 阅读全文
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Architecture and Process Integration Overview of 3D NAND Flash Technologies 3D NAND闪存技术的架构和工艺集成概述 摘要：在过去的几十年里，NAND闪存一直是最成功的非易失性存储技术之一，由于其高可扩展性和可靠的开关特性 阅读全文
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