摘要: 另一种具有FG的3D NAND结构是HC-FG结构,如图8a所示。与DC-SF结构不同,水平信道堆叠在HC-FG架构中;然而,单元格没有被CG包围。因此,FG单元可以通过沟道优先工艺堆叠,类似于传统的2D平面灰阵列,并且可以以低成本实现3D结构。此外,如图8b所示,HC-FG结构与层选择晶体管(LS 阅读全文
posted @ 2025-01-20 05:49 吴建明wujianming 阅读(51) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: Architecture and Process Integration Overview of 3D NAND Flash Technologies 3D NAND闪存技术的架构和工艺集成概述 摘要:在过去的几十年里,NAND闪存一直是最成功的非易失性存储技术之一,由于其高可扩展性和可靠的开关特性 阅读全文
posted @ 2025-01-20 04:20 吴建明wujianming 阅读(106) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 4本书推荐《AI芯片开发核心技术详解》、《智能汽车传感器:原理·设计·应用》、《TVM编译器原理与实践》、《LLVM编译器原理与实践》 由清华大学出版社资深编辑赵佳霓老师策划编辑的新书《AI芯片开发核心技术详解》已经出版,京东、淘宝天猫、当当等网上,相应陆陆续续可以购买。该书强力解析AI芯片的核心技 阅读全文
posted @ 2025-01-20 04:10 吴建明wujianming 阅读(10) 评论(0) 推荐(0) 编辑
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