2023年10月3日
芯片制造金属化分析
摘要： 芯片制造金属化分析 CMOS：标准金属化 铜金属化 连接尖峰 钛的应用 接触过程的演变 金属CVD舱室 钨籽层和大块层 CVD PVD和CVD TiN层 预清洁Ti/TiN PVD PVD固体材料 CVD气体或蒸汽 热蒸发 电子束蒸发器 溅射 动量转移将使表面原子脱离直流二极管溅射 磁控溅射示意图 阅读全文
posted @ 2023-10-03 05:42 吴建明wujianming 阅读(86) 评论(0) 推荐(0) 编辑