摘要: 分立器件成品参数 平面高压MOS SVF28N50PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管,采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构,使得该产品具有较低的导通电阻,优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于AC-DC开关电源,D 阅读全文
posted @ 2021-08-28 05:52 吴建明wujianming 阅读(894) 评论(0) 推荐(0) 编辑