摘要：
ALD对照CVD淀积技术的优势 ALD 适合制备很薄的高K金属氧化物层，对腔室的真空度要求比较高，对反应气体源及比例的要求也较高。 目前沉积速率还是比较慢，大大限制了其在工业上的推广应用，不过随着设备技术的不断进步，包括ALD系统，前景还是很值得期待的。 ALD 除了常规的半导体高K 材料，太阳能等 阅读全文
摘要：
PVD与CVD性能比较 CVD定义： 通过气态物质的化学反应在衬底上淀积一层薄膜材料的过程。 CVD技术特点： 具有淀积温度低、薄膜成分和厚度易于控制、均匀性和重复性好、台阶覆盖优良、适用范围广、设备简单等一系列优点。 CVD方法几乎可以淀积集成电路工艺中所需要的各种薄膜，例如掺杂或不掺杂的SiO2 阅读全文
摘要：
摄像头PVD和CVD薄膜 在FDP 的生产中，在制作无机薄膜时，可以采用的方法有两种：PVD 和CVD (将VE 和VS 归于PVD ，而ALD 归于CVD)。 Physical Vapor Deposition (PVD) Physical Vapor Deposition (PVD)称为物理气象 阅读全文