分立器件成品参数

 分立器件成品参数

平面高压MOS

SVF28N50PN是N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管，采用士兰微电子的F-Cell^TM平面高压VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构，使得该产品具有较低的导通电阻，优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。

该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。

主要特点

• 28A，500V，R_{DS(on)(典型值)}=0.15W@V_GS=10V
• 低栅极电荷量
• 低反向传输电容
• 开关速度快
• 提升了dv/dt能力
• 100%雪崩测试
• 无铅管脚镀层
• 符合RoHS环保标准

技术文档

 

200A，650V IGBT模块

SGM200HF6A1TFD模块性能优良，适用于不间断电源，交流变频驱动器，电焊机等。

主要特点

• 200A，650V，VCE(sat)(典型值) =1.60V@IC=200A
• VCE(sat)带正温度系数
• 高抗短路能力
• 低开关损耗
• 绝缘铜底板，采用DBC技术

产品规格分类

 

内部框图

 

技术文档

 

封装外形图

 

SU0504A6G/SAG

SU0504A6G/SAG是四通道电压轨钳位型大电流瞬态电压抑制器件，其每个通道都包含有一对ESD放电电流导向二极管，分别将正向和负向的静电放电电流引导到正向钳位电压端和负向钳位电压端。另外，在该器件内部，还集成了一个稳压管。一般在应用时，SU0504A6G/SAG的负向钳位端与被保护电路的地线相接，这样，正向的放电电流通过内置的稳压管流到地线，保护了被保护电路的电源端。

SU0504A6G/SAG适合USB2.0以及数据传输线的ESD保护。

主要特点

• 四通道ESD保护结构；
• 满足IEC61000-4-2(ESD) ：±30KV（空气放电）

                ±30KV（接触放电）；

• 输入端对地不大于5.0pF的超低电容结构； 
• I/O通道之间的电容不大于3.0pF；
• 很低的钳位电压；
• 较高的峰值电流；
• 可靠的硅器件雪崩击穿结构；
• SOT-23-6L/ SOP-8-225-1.27封装外形；
• 5V的低工作电压。

技术文档

 

封装外形图

 

SFR20F60F2

超快速恢复二极管

SFR20F60F2是一款超快恢复二极管器件，采用了先进的硅外延平面工艺制作，在工艺参数和图形结构上都进行了精心的设计，使得该系列产品具有较低的正向压降和超快的反向恢复时间。

精确的外延掺杂控制，先进的平面结终端保护结构以及铂掺杂控制少子寿命保证了该产品具有最佳的综合参数，很高的耐用性和可靠性指标。

该产品可广泛应用于开关电源，UPS以及PFC等领域。

主要特点

• 35ns的超快恢复时间  
• 低的正向压降
• 漏电流小

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SJT0281NPN

NPN型硅三极管

SJT0281NPN NPN型低频大功率管，采用士兰微电子先进的硅平面工艺制造，三重扩散，超低密度晶体缺陷，聚酰亚胺钝化，小于200微米的薄芯片等先进技术的使用使得SJT0281NPN具有热阻低，耗散功率大，可靠性好的特点。优化的芯片结构设计和封装设计提升了器件的抗二次击穿能力。

该产品主要应用于家用电器，AV器材，专业音响设备，汽车音响等音频功率放大器的功率输出级，具有线性范围宽，失真度低的特点。

SJT0281NPN三极管采用TO-3P封装外形。

与SJT0281NPN配对的互补PNP管：SJT0302PPN。

主要特点

• 较高的击穿电压余量。
• 非常低的漏电电流。
• 高输出功率：150W；
• 较高的二次击穿耐量和可靠性。

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封装外形图

 

肖特基二极管(SBD)

SBT20UL45AR6是采用Trench结构制作而成的肖特基整流二极管，广泛应用于开关电源，保护电路等各类电子线路中。

主要特点

• 高电流冲击能力
• 低功耗，高效率
• 正向压降低

技术文档

 

 

 

参考链接：

http://www.sinyang.com.cn/product/6/