HBM2E Flashbolt--提升人工智能的算力

HBM2E Flashbolt--提升人工智能的算力

加速、扩展和确保超级计算和人工智能技术

超级计算和基于人工智能的技术的进步需要最高口径的内存，以满足行业对带宽、容量和效率的需求。HBM2E Flashbolt 可以提升人工智能的算力，通过扩展的容量处理更多的大数据，并提供高带宽。

高性能计算的驱动力

凭借在人工智能算法、数据科学、自动驾驶、5G等各行业引领高端技术进步的经验，三星凭借首个HBM2E解决方案再次确立了其在存储器行业的领先地位。

 

 用于最高级任务的高带宽

HBM2E Flashbolt 的处理速度为 3.6 Gbps，比上一代 HBM快约 1.5 倍。
HBM2E Flashbolt 不仅如此快速，还通过 TSV 技术实现高带宽，帮助快速处理大量数据，将 AI 训练效率提高约 6 倍于通常的速度*。

*数据基于云服务中 8 个 GPU 与 72 个 CPU 的比较

 

处理更多数据的容量翻倍

通过堆叠的八层10纳米级16GB的DRAM裸片，HBM2E Flashbolt提供上一代HBM容量的约两倍解决方案。更大的容量允许开发更深的神经网络，从而大大提高获取大数据分析结果的速度。

※ 来自三星数据表（可根据要求提供）

 

使用更少的功耗获得更高的性能

与上一代HBM 解决方案相比，HBM2E Flashbolt 的功耗提高了约 18%，power bumps增加了约 1000 个。确保更安全地提供消耗更高算力低功耗。

※ 来自三星数据表（可根据要求提供）

 

更可靠On Die ECC

通过 On Die ECC 解决方案，提供HBM2E Flashbolt高可靠性和稳定性。ODECC能够自我纠正内部错误，
以增强损坏数据的恢复能力，并降低刷新频率。单个bit位误差也减少了，从而全面提高了数据可靠性。

 

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