CVD和ALD薄膜沉积技术应用领域

显示

用于OLED、QD-OLED、甚至未来QLED的薄膜封装，通过有机/无机叠层结构的保护，水汽渗透率WVTR可降至10^-5g/m²/day，保证OLED或者量子点发光材料的稳定。另外量子点光学膜QDEF也需要WVTR小于0.1的阻隔膜，保护量子点不受水氧破坏。

微电子

在包括miniLED、microLED、MMIC（Monolithic microwave integrated circuit单片微波集成电路）在内的微电子封装领域，越来越多的研究表明，使用wafer level的薄膜封装工艺，能够大幅提升器件在严苛环境下的工作稳定性，这对于微电子设备的微型化、集成化是非常重要的保证。

医疗器械

CVD、ALD等薄膜沉积技术，可以高效地根据设计需求改变培养皿、采血管、微流道器件、疫苗瓶等生物医疗用品的表面特性，达到促进细胞固定、抗生物吸附、适应多种溶剂、防止生物污染等效果。

能源与环境

ALD – 平板热原子层沉积系统 Eagle系列 EA-101

Eagle系列（E系列）：E系列ALD产品（代表型号EA-101）是针对高校、科研院所、企业研发中心等从事基础研究之用户所开发的标准化、全自动化、具有高稳定性的加热式原子层沉积设备。

该设备配备有多尺寸工件台，可适用于12寸及以下晶圆或10寸及以下玻璃基板的薄膜沉积需要。态锐仪器开发的薄膜沉积工艺可实现样品区域内的薄膜不均匀性小于1%（针对标准氧化铝薄膜），优于大多数国内外同类产品。

该设备主要用于氧化铝Al2O3, 氧化铪HfO2, 氧化锆ZrO2, 氧化钽Ta2O5, 氧化镧La2O3等high k介质层的沉积，亦可通过工艺调整将应用扩展至生物医学涂层、光学结构层、刻蚀阻挡层、界面钝化层、润滑/耐磨层等领域。

态锐仪器提供标准Al2O3薄膜沉积recipe以供客户验收设备之用。如客户有其他薄膜材料的沉积工艺需求，可通过购买相应的标准recipe或工艺开发服务获得技术支持。

PEALD – 卷对卷式原子层沉积设备 Eagle系列 EA-101-R2R/PE

卷对卷式原子层沉积设备 Roll to Roll ALD，Eagle系列（E系列）：E系列R2R PEALD产品（代表型号EA-101-R2R/PE）是针对高校、科研院所、企业研发中心等从事基础研究之用户所开发的标准化、全自动化、具有较高稳定性的等离子体增强原子层沉积设备。

该设备配备有收放卷装置及沉积区内的三对辊（更多对数可选），走膜速度最高可达到0.5m/s，适用于幅宽200mm的薄膜卷材的连续沉积需要。沉积过程中工艺温度低于200℃，且具有良好的薄膜沉积均匀性，在有效沉积范围内可控制在2%以内。通过正反向走膜，可在不破坏真空环境的条件下，实现不限次数的循环沉积。

该设备主要用于快速沉积PET、PI、铜箔、铝箔等柔性卷材的水氧阻隔层，具有规模化生产应用的潜力。

卷对卷式原子层沉积系统结构示意图 （Roll to Roll ALD Scheme）

Eagle系列 EA-101-R2R/PE设备参数，如下表：

PEALD – 等离子增强原子层沉积系统 Eagle系列 EA-101/PE

等离子增强原子层沉积系统（Plasma Enhanced Atomic Layer Deposition）Eagle系列（E系列）：E系列PEALD产品（代表型号EA-101/PE）是针对高校、科研院所、企业研发中心等从事基础研究之用户所开发的标准化、全自动化、具有高稳定性的全新一代等离子体增强原子层沉积设备。