CVD-ALD前驱体材料

CVD-ALD前驱体材料

ALD前驱体源瓶特点是什么

ALD前驱体源瓶（起泡器）用于固态、液态及气态超纯物料类的封装，涉及微正压、常压、中低压的危险化学品，对源瓶的安全性和洁净度提出严苛的要求。

ALD前驱体源瓶特点：

所有管件采用316L不锈钢，内部经400目机械抛光和电化学抛光，Ra≦0.25微米；

阀门有美国世伟洛克球阀和隔膜阀、日本富士金隔膜阀和韩国TK隔膜阀供选择；

密封垫片选用纯银镀镍垫片；

氦质谱检测泄漏率≦1.0*10-10mbar L/s；

可盛装化学品纯度≧99.9995;

总残余元素量≦50PPb；

坠落试验，通过国家商检部门检测；

介质，TMG\TEG\TMA\TMIN\DEE等；

可选择气动阀门或者实现在注入端子、输出端子以及接口之间的交叉清扫处理等；

可提供非标定做。

集成电路上游材料厂商大力布局国内市场

总投资10亿美元的日本Ferrotec大尺寸半导体硅片项目，打破了国内大尺寸半导体硅片完全依靠进口的局面；与此同时，国际著名集成电路上有气体材料供应商应特格(Entegris)新项目。国际集成电路上游材料厂商正在大力布局国内市场。

　　在集成电路半导体领域，上游材料的垄断程度比下游高端集成电路产品的垄断度还要高，国内集成电路高端材料全部依赖进口。据悉，Ferrotec项目，成功填补了国内大硅片生产领域的空白，打破了美国、日本对同类型硅片生产核心技术的进口垄断，达产后将达到8英寸年产540万片、12英寸年产288万片硅片的生产能力。

　　对于应特格来说，计划成为第一家在中国生产高纯度沉积产品TEOS (硅酸四乙酯)的跨国企业，该合作合作有利于Entegris在中国扩大产能，同时也缩短了中国市场的沉积材料供应链。这些高纯度沉积产品包括TEOS，这种材料对于半导体制造领域采用的3D NAND技术至关重要，该技术用于生产速度更快的先进储存设备与内存，对于支持中国半导体产业的全面发展也具有重要意义。

　　高纯度集成电路气体产品，并且首期产品目前已经到达相关用户手中。

　　针对国际半导体材料厂商近一段时间以来不断进入国内布厂，业内专家指出，一方面是由于国内市场的崛起，崛起的速度也让这些垄断性厂商不得不重视中国市场；另一方面，需要清醒的是，技术垄断在短期内仍然打不破，国内仍要发奋图强，力求自有技术的实现。

ALD工艺二元、三元单层薄膜前驱体

目前在ALD沉积工艺中，为了能得到二元或三元薄膜，往往通过将不同前驱体交替通入反应腔体，比如沉积Hf-Al-O薄膜，则通过交替通入TEMAH-H2O-TMA-H2O-TEMAH...，并形成叠层薄膜。科研人员通过不断摸索，配制出了不同系列的新型前驱体，可用于沉积二元或三元单层薄膜,而非二元叠层。二元或三元单层薄膜的获取，在催化应用领域，可通过提高或抑制效应，实现催化活性。在集成电路应用领域，可通过调节介电常数等，而实现预想的电学性能。

在原子层沉积（ALD）工艺中，选择合适的前驱体对工艺控制、薄膜性能等方面至关重要。同时根据前驱体特性，如性状、挥发性等，配以合适的源瓶则会对工艺有协同效应。除在前驱体研制方面充分发挥技术优势外，还在ALD源瓶的设计和加工方面积累的丰富经验。找ALD源瓶，优选“爱牟源科学”......

ALD前驱体工艺控制

前驱体材料是原子层沉积工艺的基础，目前用于原子层沉积的前驱体包括无机类和金属有机类二种，无机类在沉积速率、稳定性、膜质量等方面存在一些问题，应用会逐渐减少。金属有机类特别是液态金属有机物是开发的重点。前驱体生产过程的控制，对产品的质量稳定性提供了保证，产品研制过程控制如下（分别是制备、纯化、分析）：