摘要： 一． NAND和NOR的比较 NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM 和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构，强调降低每比特的成本，更高的性能，并且象磁 阅读全文

摘要： FSMC全称“静态存储器控制器”。 使用FSMC控制器后，可以把FSMC提供的FSMC_A[25:0]作为地址线，而把FSMC提供的FSMC_D[15:0]作为数据总线。 (1)当存储数据设为8位时，(FSMC_NANDInitStructure.FSMC_MemoryDataWidth = FSM 阅读全文

摘要： 一般封装尺寸表： L：外形总长度W：外形总宽度W1：外形宽度方向的焊盘宽度A：外形长度方向的焊盘宽度H：外形高度 容值、耐压与尺寸对照表： 阅读全文

摘要： SDRAM SDRAM(Synchronous Dynamic Random Access Memory)同步动态随机存取存储器，同步是指Memory工作需要步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是由指定地址 阅读全文