摘要:
2.3 PN结 少子的浓度取决于温度;多子取决于掺杂浓度 空间电荷区的左侧P区带负电,右侧带正电,因此,在两者之间产生了一个电位差UD,称为电位壁垒 电位壁垒与材料有关,硅材料约为(0.60.8)V,锗材料约为(0.20.3)V 2.3.2 单向导电性 外加电压,才有这个性质 正向电压(正偏) P区 阅读全文
摘要:
二、半导体二极管及其基本应用电路 2.1 半导体二极管是最基本的电子器件,是集成电路的最小组成单元。 2.2 半导体 按导电能力的不同,物体可分为导体、半导体和绝缘体 半导体材料有硅、锗、硒以及部分金属氧化物和硫化物 常用的半导体材料**硅(Si)和锗(Ge)**的原子序数为14和32,最外层有4个 阅读全文
摘要:
一、 绪论 1.1 电子管(真空管)(最早的电子器件) 晶体管 体积小、重量轻、寿命长、功耗低 过载能力差、外加电压不能太高、受温度影响大 集成电路(Integrated Circuit,IC):能将许多晶体管和电阻等元件制作在同一块硅晶片上的电路 小规模集成电路(SSI) 中规模集成电路(MS 阅读全文