摘要：
SDRAM存储器读写速度较高，其单位容量的功耗较低，广泛应用在许多工程项目中，特别在雷达、图像处理等需要高速度、大容量的数据存储领域，SDRAM存储器有着广泛的应用价值。而单片SDRAM存储器一般是直接焊接在电路板上，而且引脚较多、一旦遇上SDRAM存储器工作故障，更换芯片比较麻烦，并且当需要扩充容 阅读全文
摘要：
新型的存储器既具有RAM的优点，又有非失易失性特征，同时克服了非易失性写入速度慢且写入次数有限等缺点。 铁电随机存储器（FRAM)FRAM的核心技术是铁电晶体材料。这一特殊材料使得铁电存储产品同时拥有随机存取存储器(RAM)和非易失性存储产品的特性。 当一个电场被加到铁电晶体时，中心原子顺着电场的方 阅读全文
摘要：
MRAM是一种非易失性磁性随机存储器。它拥有SRAM存储芯片的高速读取写入能力，以及动态DRAM的高集成度，并可以无限次地重复写入。MRAM工作的基本原理与硬盘驱动器类似，与在硬盘上存储数据一样，数据以磁性的方商为依据，存储为0或1。它存储的数据具有永久性，直到被外界的磁场影响，才会改变这个磁性数据 阅读全文
摘要：
内存技术在几十年的发展过程中性能提高了不少，但并没有实质性的改变。因为这些内存产品都是基于动态随机访问存储器DRAM的，一旦没有持续的电力，所存储的数据就会立即消失，这就直接导致目前的PC必需经历一段不短的时间进行启动才能正式使用，而无法像其他家电一样即开即用。然而MRAM却是一种全新的技术，甚至有 阅读全文
摘要：
NV-SRAM模块不仅可以快速且可靠的存储数据，而且在封装技术方面也很有竞争力。这些器件适用于需要安全数据存储以及几乎不需要现场维护的场合。 因此将比较它需要多长时间来擦除64Kb数据及写入新数据。最后必须知道制造商提到功耗时并不是使用一致的标准。某些设备可能指定在Vcc=1.8V下工作，但其资料表 阅读全文
摘要：
SRAM为数据访问和存储提供了一个快速且可靠的手段。由系统电源或其他备用电源（如电池）供电时，他们就具有非易失性。表1给出了几种给定的非易失性存储器存储技术的优缺点。 表1非易失性存储器比较 NVSRAM中的电池对于数据保存来说至关重要。电池的不良接触会极大地影响电池寿命。其他因素，如震动、湿度以及 阅读全文
摘要：
MRAM的优异性能使它能较快取代目前广泛采用的DRAM内存及EEPROM闪存，作为新一代计算机的内存。MRAM目前是新一代计算机内存的最佳候选者，但不是唯一的，与它同期并存的还有FRAM(铁电随机存取存储器）和OUM(Ovshinsky电统一随机存取存储器)，三者科技内涵各有所长,市场预测尚难预料。 阅读全文
摘要：
对于特定的产品设计，关于铁电RAM为何比串行SRAM更好，有几个原因值得一提。以下各节将介绍其中的一些注意事项。 优越的频率和带宽传统和ULE FRAM都比串行SRAM支持更高的SPI时钟频率。ULE FRAM支持DDR模式，从而充分利用了低引脚输出MCU。 ULE FRAM的带宽是当前可用串行SR 阅读全文
摘要：
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇详细介绍了用FRAM替换SRAM时需要考虑的因素 FRAM注意事项FRAM与SRAM互相代替时，需要提及一些细微之处。本篇文章介绍这些细微差别，并重点介绍可以采取的缓解措施。当采取这些预 阅读全文
摘要：
尽管静态RAM和铁电RAM可以有完全不同的用途，但是随着SPI等标准接口的出现，这些技术在功能上有很大的重叠。本篇文章宇芯电子详细介绍了SRAM和FRAM的共同属性，这为设计中替换串行SRAM提供了主要动力。 SRAM和FRAM之间的相似之处SRAM和FRAM在许多设计中表现出许多相似的特性。串行S 阅读全文