摘要：
数据记录、物联网节点、边缘计算设备中的机器学习/人工智能以及医院中的RFID标签都可以用到MRAM。 数据记录器需要多兆位的非易失性存储器来容纳长期的数据积累。它们通常由电池供电，但也可以依靠收集能量来供电，因此需要低功率内存。在断电的情况下，记录的数据必须无限期地保留。MRAM正是最理想的选择。 阅读全文
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MRAM是一种使用电子自旋来存储信息的存储技术。MRAM具有成为通用存储器的潜力-能够将存储存储器的密度与SRAM的速度结合在一起，同时始终保持非易失性和高能效。MRAM可以抵抗高辐射，可以在极端温度条件下运行，并且可以防篡改。这使得MRAM适用于汽车，工业，军事和太空应用，这些对于MRAM开发人员 阅读全文
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电机驱动MCU技术要点它是电机控制器即动力输出。通俗点就是你要加速他让电机转得快一些，要刹车他能让电机转的慢一点。 所以他有如下特点： （1）响应快，这个很容易理解，但其实不好做，因为工况比较复杂。举一个简单的例子就能感觉到。同样是加速，有的发生在平地，有的发生在上坡，有的发生在下坡。平地和上坡都还 阅读全文
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NOR闪存由于其可靠的数据存储而已在嵌入式设备中广泛使用了很长时间。对于某些低功耗应用，串行SPI NOR闪存变得比并行NOR闪存设备更受欢迎。与串行SPI NOR闪存相比，并行NOR闪存具有并行性，因此吞吐量更高。但是随着串行SPI NOR闪存设备中多通道（2-8条并行数据线）支持的出现，它现在在 阅读全文
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在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。 一、Flash和EEPROM之间的差异 Flash和EEPRO 阅读全文
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为什么很多电器设备都要使用MCU呢？ 让我们用一个点亮LED的电路为例，来说明。如下图所示，不使用MCU的电路是一个由LED，开关和电阻构成的简单电路。 * 不安装MCU的LED电路 * 使用MCU的电路如下图所示。 * 安装MCU的LED电路图 * 很显然，使用MCU的电路要复杂得多，而且设计电路 阅读全文
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自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。 表1存储器的技术规格比较 阅读全文
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对于长期处于困境的MRAM行业来说，自旋注人方式可以说是一项能够扭转危机的革新技术。 MRAM轰轰烈烈地问世。但此后，MRAM在工艺发展和大容量方面并没有取得预期的进展。在目前大批量生产的产品中，MRAM的制造工艺仅达到180nm,最大容量仅为4Mb,而且，其应用仅限于取代需要电池的SRAM等特定领 阅读全文
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本章节对赛普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II（薄小外型封装-II 类型）和48球型焊盘 FBGA（小间距球栅阵列）封装选择中各自的引脚和封装区别进行了详细说明。 替换 44 TSOP-II 封装选择 图1显示的是使用 44 引脚 T 阅读全文
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PSRAM它具有类SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，因此结口简单；但它的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结 阅读全文