摘要：
首先来看一下并口和串口的区别：引脚的区别： 串口SRAM（或其它存储器）通常有如下的示意图： 串口SRAM引脚 引脚只有SCK,CS#,SI,SO,HOLDB,VCC,VSS不到8个，一般遵循SPI协议，并口SRAM引脚很多，串口SRAM引脚很少。大部分SRAM是并口（parallel）操作的，也有 阅读全文
摘要：
SRAM是控制器电路中重要的元器件，控制器硬件出厂时，要对所有元器件进行检测。对SRAM某个地址读写，可以判断SRAM芯片是否损坏，以及数据线是否虚焊。 为解决现有技术中不能对SRAM芯片地址引脚线短路故障进行快速精确检测定位的问题；提供一种SRAM芯片地址引脚线短路检测方法，包括以下步骤： 一、根 阅读全文
摘要：
MCU是智能控制的主要核心，是目前物联网和汽车电子未来主要增长点。MCU微控制器作为智能控制的核心广泛应用于消费电子、汽车电子、计算机与网络、工业控制等领域，伴随物联网的逐步落地和汽车电子的发展，MCU微控制器的市场需求增长显著。 国内MCU微控制器市场未来五年复合增速达11.7%，至2020年市场 阅读全文
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内存在人工智能解决方案（例如机器学习）的培训和实施中均扮演着关键角色。这也是创建诸如5G之类的高级网络技术的要求，这将需要在网络边缘以及在端点处进行处理和存储以实现IoT和其他应用程序。 如今大多数高性能内存都是易失性的，这意味着当设备断电时，存储在内存中的所有内容都会丢失。但是内存会消耗很多功率， 阅读全文
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SRAM大多是由CMOS管组成的挥发性静态存储器。在掉电后存储器中所存数据就会丢失。随机静态存储器可以对任何地址进行读写操作，通过锁存器的原理对数据进行保存，在无操作状况下，锁存器处于稳态，保持数据稳定，不用进行周期性的电荷刷新。SRAM由基本单元构成的阵列以及外围电路构成，其中阵列的划分和外围电路 阅读全文
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静态RAM的基本构造块是SRAM存储单元。通过升高字线的电平触发存储单元，再通过位线对所触发的存储单元进行读出或写入。在静态CMOS存储器中，存储单元阵列将会占去整个存储器芯片面积的一半以上，在一些大容量的SRAM中，这个比例还要更大一些。因而减小存储单元出的面积变得尤为重要。一方面我们希望单元面积 阅读全文
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随着SOC 技术的发展，CMOS 工艺尺寸不断缩小，芯片集成度越来越高，使得单位面积芯片的功耗不断提高。近年来，便携式电子产品如智能手机、平板电脑、数码相机、智能手环发展迅猛，而对于使用电池的便携式电子产品，芯片的功耗会直接影响到电池的使用时间、使用寿命，功耗逐渐成为大规模集成电路设计中最关心的问题 阅读全文
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与大多数其他半导体存储技术不同，数据存储为磁性状态而不是电荷，并通过测量电阻来感测而不干扰磁性状态。使用磁性状态进行存储有两个主要好处。首先磁极化不会像电荷一样随时间泄漏，因此即使关闭电源，信息也会被存储。其次在两种状态之间切换磁极化不涉及电子或原子的实际运动，因此不存在已知的磨损机制。 Evers 阅读全文
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静态存储器SRAM是一款不需要刷新电路即能保存它内部存储数据的存储器。在SRAM 存储阵列的设计中，经常会出现串扰问题发生。那么要如何减小如何减小SRAM读写操作时的串扰，以及提高SRAM的可靠性呢，下面宇芯来简单介绍。 设计结果与仿真分析图1为脉冲产生电路通过analog Environment的 阅读全文
摘要：
近年来，片上存储器发展迅速，根据国际半导体技术路线图（ITRS），随着超深亚微米制造工艺的成熟和纳米工艺的发展，晶体管特征尺寸进一步缩小，半导体存储器在片上存储器上所占的面积比例也越来越高。接下来宇芯电子介绍SRAM的工作原理以及工作过程。 SRAM 写操作。写操作就是把数据写入指定的SRAM 存储 阅读全文