宇芯电子

摘要： 新兴MRAM市场的主要参与者之一已经开发了专有技术，该技术表示将通过增加保持力并同时降低电流来增强任何MRAM阵列的性能。 自旋转移技术（STT）的进动自旋电流（PSC）结构，它有潜力提高MRAM的密度和零泄漏能力。该结构可以应用于移动，数据中心CPU和存储，汽车，物联网和（IoT）以及人工智能等领 阅读全文

摘要： 本篇文章主要介绍用FRAM替换闪存或EEPROM的情况，以及如果将FRAM器件成功集成到新的汽车EDR设计中将需要满足的要求。 EDR要求：高速和高可靠性车辆EDR的基本功能要求是捕获所有指定的数据输入，从可见光和红外摄像头，雷达和LiDAR传感器等传感设备以及油门，制动踏板和方向盘等输入设备捕获。 阅读全文

摘要： 汽车设计人员在设计时必须考虑质量和安全性以及性能方面的考虑。汽车行业经验丰富的供应商通常会超出性能要求，赛普拉斯FRAM器件经过AEC-Q100认证，例如最高温度达到85°C或125°C-并且还拥有所有必要的认证，例如作为TS16949，支持PPAP流程，并与特定客户保持联合资格。 还必须符合ISO 阅读全文

摘要： 静态数据随机存储器存储器（SRAM）是随机存储器存储器的一种。说白了的“静态数据”，就是指这类存储器要是维持接电源，里边存储的数据信息就可以恒常维持。相对性下，动态性随机存储器存储器（DRAM）里边所存储的数据信息就必须周期性地升级。殊不知，当能源供应终止时，SRAM存储的数据信息依然会消退，这与在 阅读全文

摘要： 数据通信和便携式系统成为当今SRAM的重要应用领域。某些SRAM由于能够提供实现较高带宽所需的性能(比如在网络系统中)或维持较长电池使用寿命所需的低功耗(比如在便携式设备中)而在许多应用中起着主导作用。这些架构指的是面向高性能应用的NoBL (无总线延迟)和QDR (四倍数据速率)以及针对低性能应用 阅读全文

摘要： 铸造厂需要传统的CMOS制造中不使用的新设备，例如离子束蚀刻，同时提高MTJ位单元的可靠性，以支持某些应用所需的大（1Mbit〜256Mbit）存储器阵列密度。 尽管STT-MRAM技术具有足够的耐久性和读/写等待时间，但对工艺变化的敏感性可能会导致可靠性问题。MTJ位单元的缺点之一是读取窗口小，即 阅读全文

摘要： 随着有希望的非易失性存储器架构的可用性不断增加，以增加并潜在地替代传统的易失性存储器，新的SoC级存储器测试和修复挑战正在出现。通过将自旋转移扭矩MRAM（STT-MRAM）作为嵌入式MRAM技术的领先趋势来增强动力. 什么是STT-MRAM？ 嵌入式存储器IP选项包括STT-MRAM，相变存储器（ 阅读全文

摘要： 正确的同步静态随机存取存储器（SRAM）的选择对于带宽要求更高，系统性能更好的网络应用至关重要。系统设计人员需要了解不同同步SRAM技术的特性和优势，以便为其应用选择正确的存储器。 决定正确的同步SRAM选择的一些关键因素是密度，等待时间，速度，读/写比和功率。通过了解这些因素如何影响性能，可靠性和 阅读全文

摘要： 在所有常年兴起的记忆中，MRAM似乎最有可能濒临大规模，广泛采用。这是否会很快发生取决于制造的进步和支持分立和嵌入式MRAM器件技术的生态系统。MRAM以及PCRAM和ReRAM已经达到了一个临界点，在更多应用中它比以往任何时候都有意义。然而，从工艺和材料角度来看，它的确面临着一系列制造挑战，因为它 阅读全文

摘要： 在当今的消费电子市场中，设计师面对6个月的设计窗口以在12个月的时间内实现生产并不少见。这些消费者细分市场中的设计师面临的问题之一是，营销人员根本不知道哪些功能将成为赢家。至于消费者领域，急剧变化的功能集比性能要有价值得多，而性能只是功能集中的功能之一。未获得正确功能集的惩罚是无法找到客户的产品。结 阅读全文