01 2021 档案

非易失性存储器Flash和EEPROM之间的差异与优缺点
摘要：在嵌入式系统中，Flash和EEPROM能够存储可用于通信或执行某些功能的数据。它们可以通过多种不同的串行协议（包括SPI或串行外围设备接口）来连接存储设备。在单片机中也集成了多种不同类型的SPI存储设备，包括Flash和EEPROM。 一、Flash和EEPROM之间的差异 Flash和EEPRO 阅读全文
posted @ 2021-01-29 14:11 宇芯电子 阅读(1271) 评论(0) 推荐(0)
为何要使用MCU
摘要：为什么很多电器设备都要使用MCU呢？ 让我们用一个点亮LED的电路为例，来说明。如下图所示，不使用MCU的电路是一个由LED，开关和电阻构成的简单电路。 * 不安装MCU的LED电路 * 使用MCU的电路如下图所示。 * 安装MCU的LED电路图 * 很显然，使用MCU的电路要复杂得多，而且设计电路 阅读全文
posted @ 2021-01-28 15:25 宇芯电子 阅读(306) 评论(0) 推荐(0)
MRAM实现对车载MCU中嵌入式存储器的取代
摘要：自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND闪存等现有存储器的优点，同时在性能方面又超过了现有几乎所有的存储器，因此有可能会赢得巨大的市场(见表1)。具体在功能方面，自旋注入MRAM与闪存一样具有非易失性，即使切断电源，信息也不会丢失，而且它和DRAM一样可随机存取。 表1存储器的技术规格比较 阅读全文
posted @ 2021-01-25 14:48 宇芯电子 阅读(249) 评论(0) 推荐(0)
​弥补现有MRAM的不足
摘要：对于长期处于困境的MRAM行业来说，自旋注人方式可以说是一项能够扭转危机的革新技术。 MRAM轰轰烈烈地问世。但此后，MRAM在工艺发展和大容量方面并没有取得预期的进展。在目前大批量生产的产品中，MRAM的制造工艺仅达到180nm,最大容量仅为4Mb,而且，其应用仅限于取代需要电池的SRAM等特定领 阅读全文
posted @ 2021-01-22 15:59 宇芯电子 阅读(171) 评论(0) 推荐(0)
将赛普拉斯nvSRAM替换为MRAM
摘要：本章节对赛普拉斯4Mbit（256K x 16）nvSRAM 和 MRAM器件分别在 44 引脚 TSOP-II（薄小外型封装-II 类型）和48球型焊盘 FBGA（小间距球栅阵列）封装选择中各自的引脚和封装区别进行了详细说明。 替换 44 TSOP-II 封装选择 图1显示的是使用 44 引脚 T 阅读全文
posted @ 2021-01-21 14:17 宇芯电子 阅读(403) 评论(0) 推荐(0)
PSRAM在数据缓冲应用中可以取代SRAM或SDRAM
摘要：PSRAM它具有类SRAM的接口协议：给出地址、读、写命令，就可以实现存取，不像DRAM需要memory controller来控制内存单元定期数据刷新，因此结口简单；但它的内核是DRAM架构：1T1C一个晶体管一个电容构成存储cell，而传统SRAM需要6T即六个晶体管构成一个存储cell。由此结 阅读全文
posted @ 2021-01-20 16:04 宇芯电子 阅读(1204) 评论(0) 推荐(0)
​Everspin MRAM常见问题解答
摘要：Everspin Technologies，Inc是设计制造MRAM和STT-MRAM的全球领导者其市场和应用领域涉及数据持久性和完整性，低延迟和安全性至关重要。Everspin MRAM产品广泛应用在数据中心、云存储、能源，工业，汽车和运输市场中，为全球MRAM用户奠定了最强大，增长最快的基础。 阅读全文
posted @ 2021-01-15 16:04 宇芯电子 阅读(326) 评论(0) 推荐(0)
带有ECC的异步SRAM存储器适用于各种应用
摘要：带有ECC的异步SRAM适用于各种要求最高可靠性和性能标准的工业，医疗，商业，汽车和军事应用。快速SRAM是诸如交换机和路由器，IP电话，测试设备和汽车电子产品之类的网络应用的理想选择。SRAM用于PLC，多功能打印机和可植入医疗设备等一系列应用领域中的高性能，电池供电的解决方案。 高可靠性：软错误 阅读全文
posted @ 2021-01-14 13:57 宇芯电子 阅读(468) 评论(0) 推荐(0)
​MCU是控制电子产品的大脑
摘要：现如今我们生活中的许多电器都使用了MCU。例如手机、电视机、冰箱、洗衣机、以及医疗设备、智能语音设备、节能控制、报警控制等等。那么单片机在这些电器中究竟做了些什么呢？ 单片机是这些电器动作的关键，是指挥硬件运行的。例如：接收按钮或按键的输入信号，按照事先编好的程序，指挥马达和LCD的外围功能电路动作 阅读全文
posted @ 2021-01-13 15:30 宇芯电子 阅读(334) 评论(0) 推荐(0)
全球MCU市场供需失衡情况愈发严重
摘要：近期全球MCU市场供需失衡情况愈发严重。继瑞萨、NXP等芯片大厂先后发布涨价通知之后，意法半导体也于近日发布了涨价函。在国际大厂供应不上、全球市场出现缺口之时，国内MCU厂商在某种程度上也迎来了抢占市场的良机。国内MCU厂商如何能够将此次危机化解，并借此机会在市场占据一席之地呢? MCU交货期延至4 阅读全文
posted @ 2021-01-12 13:57 宇芯电子 阅读(152) 评论(0) 推荐(0)
如何选择非易失性SRAM
摘要：随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。目前存储器主要有以下几种类型:静态RAM(SRAM),动态RAM(DRAM)EPROM,EEPROM，FLASH MEMORY。这里讨论一种由普通SRAM、后备电池以及相应控制电路集成的新型存储器:非易失性SRAM(NVSRAM)。 为解决 阅读全文
posted @ 2021-01-11 16:04 宇芯电子 阅读(380) 评论(0) 推荐(0)
SRAM VS DRAM
摘要：SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。SRAM具有较高的性能，功耗较小。SRAM主要用于二级高速缓存。它利用晶体管来存储数据。但是SRAM也有它的缺点，集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积。同样面积的硅片可以做出更大容量的DRAM，因此SRA 阅读全文
posted @ 2021-01-08 14:16 宇芯电子 阅读(1849) 评论(0) 推荐(0)
SoC上的内存
摘要：SoC有基于应用程序的内存。这些存储器是用于计算的半导体存储器块。半导体存储器通常是指在单个硅片上制造的金属氧化物半导体存储器单元。内存类型包括: 易失性存储器:断电后会丢失数据的存储器。它们需要恒定的电源来保存信息。易失性存储器更快、更便宜，这也是被大众所接受的原因。 RAM是一种易失性存储器。最 阅读全文
posted @ 2021-01-07 14:38 宇芯电子 阅读(644) 评论(0) 推荐(0)
EEPROM和FLASH在大多数应用场合中无法替代SRAM
摘要：随着半导体技术的飞速发展,各种存储器相继推出,性能不断提高。众所周知,普通SRAM在电源掉电后,其中的数据随即消失,再次加电后，存储器中的数据为随机数。这对于需要保存大量现场数据及各种系统参数的应用系统来说无疑是不允许的。虽然EPROM的数据不会因掉电而丢失，但EPROM只能用专用的写入器写入数据, 阅读全文
posted @ 2021-01-06 14:01 宇芯电子 阅读(448) 评论(0) 推荐(0)
家电电动控制MCU
摘要：关于电机控制方案，DSP、MCU和FPGA各有其优特点。DSP因为数据处理能力强、运算速度快，适用于高端复杂的电机系统控制，但它依赖于软件算法的成熟度和稳定性，对开发者的要求比较高。FPGA通过集成逻辑电路及专用电机驱动电路，能够很好地适用于客户化的电机驱动，但在电机控制的通用性方面略有不足。MCU 阅读全文
posted @ 2021-01-04 13:44 宇芯电子 阅读(509) 评论(0) 推荐(0)