2020年11月19日
自旋传递扭矩STT-MRAM通用存储器
摘要： 自旋传递扭矩RAM（STT-MRAM）它结合了非易失性，出色的可扩展性和耐用性以及较低的功耗和快速的读写功能。 自旋传递转矩（STT）写入是一种通过对齐流过磁性隧道结（MTJ）元件的电子的自旋方向来极化电流的技术。通过使用自旋极化电流来改变磁取向来执行数据写入MTJelement中信息存储层的位置。 阅读全文
posted @ 2020-11-19 16:10 宇芯电子 阅读(267) 评论(0) 推荐(0) 编辑