摘要: MRAM因具有许多优点,有取代SRAM和DRAM的潜能。用MTJ存储单元构建的MRAM存储器可以用作高速缓存。然而MRAM写入操作的长延时和较高的功耗成为其瓶颈,阻碍了其性能的进一步提高。读取优先的写缓存器和SRAM-MRAM混合结构这两种策略可以提高MRAM的性能及降低其功耗。 读取优先和SRAM 阅读全文
posted @ 2020-11-10 14:56 宇芯电子 阅读(225) 评论(0) 推荐(0) 编辑