2020年11月9日
磁阻式随机存储器MRAM基本原理
摘要： MRAM与传统的随机存储器的区别在于MRAM的信息携带者是磁性隧道结(MTJ ),而后者则是电荷。每一个磁性隧道结包含一个固定层和一个自由层。固定层的磁化方向被固定了,而自由层的磁化方向可以由旋转力矩改变。当两层的磁化方向一致时,磁性隧道结的电阻最低,其状态为“0”;反之,则磁性隧道结的电阻最高,其 阅读全文
posted @ 2020-11-09 16:45 宇芯电子 阅读(714) 评论(0) 推荐(0) 编辑