2020年9月21日
非易失性存储器MRAM技术介绍
摘要： MRAM是一种非易失性的磁性随机存储器。所谓“非易失性”是指掉电后﹐仍可以保持存储内容完整,此功能与Flash闪存相同;而“随机存取”是指处理器读取资料时,不定要从头开始,随时都可用相同的速率,从内存的任何位置读写信息。MRAM芯片中的存储单元采用磁隧道结(MTJ)结构来进行数据存储。MTJ由固定磁 阅读全文
posted @ 2020-09-21 14:06 宇芯电子 阅读(675) 评论(0) 推荐(0) 编辑