2020年9月8日
EEPROM与内存Flash消耗能量计算
摘要： 本篇文章要介绍的是非易失性存储器EEPROM与内存Flash消耗能量计算。 首先，我们来看看非易失性存储器在典型的3.3V EEPROM写入过程中所消耗的能量待机电流为1μA，写入时间为5 ms，写入电流为3 mA（表1）。我们假设：一旦VDD上升到工作限制内（上电时间），EEPROM就准备开始工作 阅读全文
posted @ 2020-09-08 14:01 宇芯电子 阅读(528) 评论(0) 推荐(0) 编辑