2020年7月2日
非易失性MRAM读写操作
摘要： 高密度MRAM具有非常低的功率，高的读取速度，非常高的数据保留能力和耐久性，适用于广泛的应用。单元面积仅为0.0456平方微米，读取速度为10ns，读取功率为0.8mA/MHz/b，在低功耗待机模式（LPSB）下，其在25C时的泄漏电流小于55mA，相当于每比特的漏电流仅为1.7E-12A。对于32 阅读全文
posted @ 2020-07-02 16:21 宇芯电子 阅读(440) 评论(0) 推荐(0) 编辑