铁电存储器FRAM的优劣势

FRAM凭借高速读写入、高读写耐久性、低功耗和防窜改方面的优势，被视为替代传统EEPROM和FLASH的产品。FRAM产品的主要厂商包括英飞凌、日本富士通半导体和其他公司，这几家公司代表了当今世界最先进的FRAM技术。FRAM在半导体市场上已经得到了商业验证，FRAM存储器产品已成功应用在汽车中。
 
1.  FRAM的优势：
 
FRAM是一种新型存储器，具有高速、高密度、低功耗和抗辐射等优点，与EEPROM、FLASH相比，FRAM的读写更快、寿命更长，FRAM已经应用于IC卡和MCU中，预计未来具有广阔的市场前景。FRAM产品具有明显的高新技术特点，符合科创板属性，目前上市公司中尚没有从事该产品的开发。
 
2.  FRAM的劣势：
 
FRAM的制造成本高，价格比EEPROM、FLASH更加昂贵，储存的空间更小。
 
由于目前EEPROM和FLASH经过多年的技术积淀和积累，无论是技术还是市场的认可度都非常高，且价格低廉。FRAM作为新型存储器之一，FRAM的技术发展的路径尚不确定，未来替代EEPROM会经历一个漫长的过程，将来也可能是其他新型存储器，如相变存储器PCM、磁存储器MRAM、电阻存储器ReRAM、碳纳米管存储器NRAM取代现有的存储器。
 
虽然目前富士通半导体等公司正在大力推广FRAM，但是传统的存储器如EEPROM和FLASH依旧会保持很大的市场份额，未来EEPROM、FLASH的技术迭代也会提升其各方面的性能，FRAM与EEPROM、FLASH会保持长期共存的局面，不会短时间内出现FRAM彻底替代EEPROM、闪存Flash的情况。
 
建议改类型的项目方提供下游客户的产品中必须用到FRAM的情形，以及其他可替代的存储器，并说明与日本富士通半导体和英飞凌的FRAM的产品性能优势或成本对比，是否已经大规模量产以及良率如何，由此来综合评估该类型项目的FRAM产品的技术壁垒和未来市场销售情况。