ISI的晶圆级MRAM测试仪
MRAM正在开发支持人工智能、物联网和先进网络技术的下一代嵌入式设备；在数据中心、边缘和端点。此外独立MRAM已经成为许多应用的重要非易失性缓存和缓冲区。为所有这些应用提供MRAM需要在生产环境中进行良好的MTJ设计和测试。Everspin在磁存储器设计，制造和交付到相关应用中的知识和经验在半导体行业中是独一无二的，为汽车、工业和军事。云存储等行业等提供了大量可靠优质的MRAM，STT-MRAM存储芯片。
ISI在MTJ器件的设计和工厂测试方面拥有长期经验，能够满足MRAM的开发和生产测试需求。他们也在创造新的测试和生产工具来帮助MRAM项目取得成功。看看他们为什么应该成为MRAM测试伙伴。
除了用于硬盘磁头生产测试的专业产品之外，ISI是第一家为MRAM行业制造晶圆级测试器的公司，并且可能拥有最大的STT-MRAM晶圆级测试器安装基地。他们在硬盘磁头行业的长期经验使他们在MTJ测试方面拥有经验，这是他们带给新兴的MRAM测试行业的经验。
WLA3000 STT-MRAM晶圆级分析仪，即第三代脉冲发生器，配有其专有的探针卡接口，可产生低至5纳秒的可编程脉冲，在脉冲发生后，能够在原位对多芯片组件进行超快测量。4点和2点静脉/右心室测试仪可以提供脉冲和DC测量，最高可达平面内的3K奥斯特和垂直于平面的5K奥斯特。机器能够在360度的视场角和高达150度的温度下工作，带有热卡盘选项。即将推出的第四代系统包括对这些规格的进一步增强，包括脉冲宽度低至2nS和垂直场高达15K奥斯特
此外它们可以提供薄膜可靠性测试，包括击穿电压、耐久性和写入概率以及读取干扰测量，并且它们的热铁磁谐振(FMR)特性(使用连接到其射频探针组件的射频前置放大器)可以用于过程控制以及器件开发。图1显示了美国工业标准学会晶圆级准静态测试仪。
ISI可以用EG、TEL和Accretech探测器(如上图所示)设置测试，并且可以为几乎任何其他探测器进行配置。他们的电子设备和测试软件独立于晶片探测器，他们的测试头可以安装在任何探测器上。一个简单的悬臂探针卡可以用来在200或300毫米的晶片上提供多器件测试能力。
ISI的方法是开发他们自己的专有前端电路，在MTJs上执行脉冲和测量操作。图2显示了专有ISI脉冲通道的脉冲样本，几乎没有过冲。
这一专有设计不仅为MRAM行业提供了特定的测试功能，而且是该行业独有的，ISI的完全集成前端提供了极快的写/读循环测量，从而实现了极高的测量性能，如误码率。
图2显示了脉冲幅度的误差概率。对于曲线上的每个数据点，这些测试被配置为运行105个写/复位周期，但是整个曲线的总测试时间仍然低于3.2s。
ISI对未来的MRAM测试和其他生产工具有一个积极的路线图。正在研发第四代ISI脉冲器模块，并正在为下一代自旋轨道转矩(SOT)设备开发外部脉冲器集成，以取代快速sram存储器。
