12 2020 档案
摘要：MRAM即磁阻式随机访问存储器的简称。经过10多年不间断的研发，全球第一款正式量产并供货的MRAM芯片型号为MR2A16A，它采用44脚的TSOP封装，容量为4M比特。它采用一个3.3V的单电源供电，可以以高达28.5MHz的频率进行读/写操作。 在当今的电子设备中有各种各样的存储器件，包括SRAM
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摘要：人工智能（AI）是计算机科学的一个分支，它企图了解智能的实质，并生产出一种新的能以人类智能相似的方式做出反应的智能机器，该领域的研究包括机器人、语言识别、图像识别、自然语言处理和专家系统等。人工智能从诞生以来，理论和技术日益成熟，应用领域也不断扩大，可以设想未来人工智能带来的科技产品，将会是人类智慧
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摘要：很多电脑小白还会有疑问，就是内存跟硬盘到底有什么区别？为什么同样是300块钱，买内存只能买到8GB容量的，而硬盘能买到250GB以上的。 内存又被称为内部存储器，你可以把它理解成为硬盘数据跟CPU数据交换的中转站。我们在打开软件或文档时，你的文件会先从硬盘复制到内存，然后CPU再跟内存进行数据交换。
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摘要：电动滑板车最常见的造型就是L型了，一体式的车架结构，使用了极简主义风格进行设计。车把手可设计成弯曲形、也可设计成直线形，转向柱与车把手一般呈70°左右，可展现出组合装配的曲线美。 而在折叠后，电动滑板车为“一字型”结构，一方面可以呈现出折叠后的结构简洁美，另一方面便于携带。 电动滑板车深受大家的喜欢
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摘要：如果把电动滑板车的组件拆分，一一估价的话，电机及控制系统的成本是最高的，同时他们也是电动滑板车的“大脑“，电动滑板车的启动、运行、进退、速度、停止依靠的都是滑板车中的电机控制系统。 电动滑板车能快速安全运行，对电机控制系统的性能要求很高，对电机的效率也有较大的要求。同时作为一种实用型的交通工具，要求
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摘要：成熟的半导体存储技术分为两类：1. RAM是随机存取存储器，具有对称的读写访问时间。 2.非易失性存储器，传统上一直是ROM（只读存储器），直到浮栅技术出现。浮栅技术产生了电可擦除存储器，例如闪存和EEPROM。这些产品允许进行系统内编程，但读写访问时间不同。实际上，写访问时间可能比读访问时间大几个
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摘要：通常将采用存储器技术的应用分为可执行代码和数据任务。可执行代码要求使用非易失性存储器，并在所有条件下都能够保留存储器中的代码。数据任务则要求能够对存储器进行快速、简易且无限次数的读/写访问。会根据应用程序来决定执行数据任务的存储器是易失性的还是非易失性的。通常可执行代码的存储器采用基于ROM的技术，
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摘要：内存是计算机的重要部件之一。它是外存与CPU进行沟通的桥梁，计算机中所有程序的运行都在内存中进行。内存性能的强弱影响计算机整体发挥的水平。内存(Memory)也称内存储器和主存储器，它用于暂时存放CPU中的运算数据，与硬盘等外部存储器交换的数据。只要计算机开始运行，操作系统就会把需要运算的数据从内存
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摘要：随着无铅技术在全球的推广，NV-SRAM成为NVRAM的普遍选择。本篇文章主要介绍了NV-SRAM与电池供电SRAM（BBSRAM）相比所具有的优点。 BBSRAM是什么？BBSRAM又称BatRAM，它是嵌入式单封装中多个芯片和电池元件的组合。电池可以集成在封装中，同集成在塑料DIPS中相似。还可
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摘要：NV-SRAM具有以下优点，可以满足理想SRAM器件的要求，该器件适用于游戏应用中的非易失性缓存实施。 快速访问：系统性能与所使用的高速缓存的访问速度直接相关。如果管理不当，则连接到快速控制器的慢速缓存会大大降低系统性能。因此高速缓存管理成为这种系统设计的重要方面。 NV-SRAM是业界最快的非易失
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摘要：游戏机是一种主要用于娱乐，使用只向获得许可的软件开发者开放的源代码，以电视机或其他专用显示器以及专用输入设备的电脑系统。其与个人计算机最大的区别在于源代码和软件的封闭性。人类用来进行游戏的机械电子装置都可称作游戏机。随着电子技术、信息产业的发展，以及电影、漫画产业的带动，电子游戏机便成为了游戏机的实
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摘要：SRAM不存在刷新的问题。一个SRAM基本存储单元融个晶体管和两个电阻器构成,它并不利用电容器来存储数据，而是通过切换晶体管的状态来实现的，如同CPU中的晶体管通过切换不同的状态也能够分别代表0和这两个状态正是因为这种结构,所以SRAM的读取过程并不会造成SRAM内存储的的信息的丢失，当然也就不存在
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摘要：5V来自于TTL电平，5为True，0即为False，之后用了压降更低的PN节，衍生出3.3这个电平。 12V和24V来自于汽车电瓶，早年乘用车又12V和24V两个系统，现在一般小型车12V，商用车24V，再究其由来应该是铅酸电池。 所以3v和5v一般出现在信号电路或者单片机等vcc供电，而12v/
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摘要：首先需求方面来说，疫情导致在线教育与办公需求增长，导致对应的驱动IC、电源管理IC及功率元件需求增长，而一季度之后，疫情得到有效遏制，消费电子和汽车及家电的需求回暖，功率MOS、PMIC、传感器IC等产品需求接力，维持产能满载。 以上这些原因，再加上芯片厂商提高了安全库存，共同推动了晶圆产能处于满载
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摘要：非易失性存储器主要是用来存放固定数据、固件程序等一般不需要经常改动的数据。目前主流非易失性存储器主要有EEPROM、MRAM、FLASH、FRAM。 EEPROM的存储原理EEPROM即电可擦可编程只读存储器。EEPROM可以在线擦除和重新编程，一般用在即插即用。EEPROM的擦除不需要借助于其它设
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摘要：NAND FLASH是一种大众化的非易失性存储器，主要是因为小型和低功耗且坚固耐用。尽管此技术适合现代存储，但在将其列入较大系统的一部分时，需要考虑许多重要特性。这些特性适用于所有类型的存储，包括耐用性，密度和性能，每千兆字节价格，错误概率和数据保留。 在设计使用NAND FLASH的系统时，选择适
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摘要：DRAM是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制bit是1还是0。与SRAM相比的DRAM的优势在于结构简单,每一个bit的数据都只需一个电容跟一个晶体管来处理，相比之下在SRAM存储芯片上一个bit通常需要六个晶体管。因此DRAM拥有非常高的密度，单位体积的容量
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摘要：Flash(快闪或闪存)由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand Flash两大类。 Nor FlashNor Flash的特点是芯片内执行(XIP )，应用程序可以直接
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摘要：存储器概况存储器是计算机系统中的记忆设备，主要是用来存放程序和数据。存储器按存储特性可分为非易失和易失两大类。目前常见的多为半导体存储器。 非易失性存储器非易失存储器是指在系统停止供电的时候仍然可以保持数据。常见的设备如电脑硬盘、TF卡、SD卡、U盘等。 易失性存储器易失存储器是指在系统停止供电的时
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摘要：最初的MRAM都是用微电磁线圈产生电磁场，使自由层的磁矩方向反转来进行0、1数据的读写。这种复杂的结构大大地制约了MRAM存贮单元的微型化进程，因此当时MRAM的存贮密度远远不及DRAM和SRAM。 后来科学家们想出了用自旋极化的电子流脉冲取代微电磁线圈的突破方案。穿过微磁粒的自旋极化电子流脉冲具有
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摘要：为了降低DSP外部SDRAM存储系统的功耗,针对DSP访问片外SDRAM的功耗来源特点,提出了基于总线利用率动态监测的读写归并方案。该方案动态监测外部存储器接口(EMIF')总线的利用率,根据总线利用率的不同选择开放的页策略,封闭的页策略或休眠模式。 DSP有限的片内存储器容量往往使得设计人员感到捉
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摘要：SRAM即静态随机存取存储器，所谓“静态”是指这种存储器只要保持通电，里面存储的数据就可以一直保持，但是掉电之后就会丢失。与DRAM（动态随机存取存储器）相比它不需要周期性的刷新里面的数据，操作简单且速度更快，但是更加的昂贵，集成度不如DRAM高。 在实际应用中的存储器所需要的容量通常比所生产的芯片
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