SDRAM 阅读笔记

1、所有信号同步，都是参考时钟的上升沿

2、Programmable burst length – 突发长度可编程：1、2、4、8、整页(256)

3、Self refresh modes - 自刷新 ：在休眠状态下，自动刷新

4、4096 refresh cycles every 64 ms ：刷新周期，每64ms刷新4096行，一行的刷新时间64/4096 = 0.015625ms =15.625us ,这里一 BANK 有4096 行。

5、Programmable CAS latency (2, 3 clocks)，可编程的潜伏期时间，意思就是当给SDRAM发一个指令后，会有一个反应的时间，才能做出相应的回应，如下图

 

6、Burst termination by burst stop and precharge command：可通过突发停止命令和预充电命令停止突发读（写）操作，比如整页写256个，但是写到128个时不想在继续写了，可以发送突发停止命令或预充电命令来终止当前的突发操作。

7、Byte controlled by LDQM and UDQM ：高、低字节有效控制

8、IC42S16400F are organized as 1,048,576 bits x 16-bit x 4-bank：

>1,048,576 bits ：1,048,576个单元，4096 *256 = 1,048,576

>16-bit ：每个单元16bit

>4-bank：有4个bank

一个 BANK 1677216 bit： 有4096 行，每行256列，每单元是16bit

9、A0~A11 复用功能：

>在激活命令时： A0~A11 是作为行地址，有4096行，就需要12个地址来表示

>在读写命令时：A0~A7 作为列地址，有256列，需要8个地址来表示；A10决定读写操作后是否要进行预充电，A10 为高电平时，开启预充电

>在模式寄存器时：A0~A11作为模式寄存器的内容, 就是作为OP-CODE的配置值

10、CKE 时钟使能，当CKE为高电平时 ，输入的CLK时钟有效；当CKE为低电平时 ，输入的CLK时钟无效。注意：The next rising edge of the CLK signal will be valid when is CKE HIGH and invalid when LOW. 意思是说，当CKE = 1时，下一个时钟上升沿有效，当CKE = 0时，下一个时钟上升沿无效

 

命令

1、 读命令： READ

>读命令时，先选择BANK

>开始一个burst的读

>地址的低八位（A0~A7）作为列地址

>A10指示读完后是否要进行预充电，A10 = 1，读完后进行预充电；A10 = 0，读完后不进行预充电，保持可以继续访问

>同时指明了DQM和读出来的时序关系。注意当xDQM = 1，对应的DQx数据，在两个时钟之后输出为高阻，比如，LDQM = 1， D0~D7 （低8位）在两个时钟之后将是高阻状态

>需等待CAS latency时间 . 固定2或3 个时钟周期后

 

2、 写命令 WRITE

>写命令时，先选择BANK

>开始一个burst的写

>地址的低八位（A0~A7）作为列地址

>A10指示写完后是否要进行预充电，A10 = 1，写完后进行预充电；A10 = 0，写完后不进行预充电，保持可以继续访问。

>同时指明了DQM和写的时序关系。当xDQM = 0，数据将被写入；当xDQM = 1，数据将被忽略，不会被写入到SDRAM中，注意没有时钟延时，在当拍时钟立刻有效果

 

3、 预充电 PRECHARGE

>可通过A10、BA0和BA1选择全部BANK或某一个BANK

>预充电命令后，必须等待TRP时间，是需要一个TRP时间完成预充电动作

>预示充电后处于idle状态。必须active后，才能读和写

比如：一般操作流程，先激活，送出行地址，然后开始读或写命令，再预充电，之后SDRAM会进入休眠状态，此时再次需读写的话，需先激活，重新走一遍流程。

提示，尽量避免在突发读写时使用预充电命令，否则突发读写到一半时会被中断结束，再次读写会失效，需从新激活在读写，一般在空闲时，发送预充电命令

 

4、 自动预充电 AUTO PRECHARGE

>A10决定

>每个读和写操作独立决定

>注意！！全页模块不支持自动预充电，也就是在 burst模式下不支持自动预充电

 

5、 自动刷新 AUTO REFRESH COMMAND  (正常工作时使用)

>行列地址自动生成，只发送命令既可，而无需再提供地址

>需要TRC时间，此期间不能有其他命令

>64ms必须至少执行4096次

 

6、 自刷新SELF REFRESH  （休眠状态时使用）

>在没有外部时钟时，保持数据，也就是说，在休眠状态时，内部会自动刷新，以保持数据不会被丢失。

 

7、 强迫停止的读或写  BURST TERMINATE

>在固定长度或整页突发读写时，可通过该命令来强制突发读写操作

 

8、 无影响命令  COMMAND INHIBIT

>相当于空操作

 

9、 空操作 NO OPERATION

>空操作

 

10、配置模式寄存器 LOAD MODE REGISTER

>通过A0~A11来配置内容的值

>只能在所有BANK是空闲状态时发出

>需等待TMRD时间

 

11、 激活命令 ACTIVE COMMAND

>ACTIVE有效时，通过BA0、BA1选择BANK 和 A0~A11选择行。

>除非预充电命令，否则一直选译该BANK和行

 >需等待TRCD时间