可控硅过零检测
可用于单片机控制可控硅电路中，可减小产品的体积和重量。……
为什么要分开用R1、R2、R3呢？都是串一起的，用一个电阻不行吗？
楼主做过零检测做什么用？
1、为了增加安全性
2、控制可控硅输出功率
如果需要十分精准可以用电阻分压后用电压比较器 ，再过光耦
楼主是为了调相从而调功吧，如果不知道楼主在负载方面是如何的
后面的是通过单片机控制的可控硅，控制白炽灯的亮度
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过零检测电路
电阻参数通过验证，可用
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我的硬件电路图：
引用根据第5楼decai 的建议
大家看看这个用LM358的电路做过零检测，AC0接51单片机的INT0非，下图来源http://bbs.mydigit.cn/read.php?tid=221794
看看我的程序吧，是这样的，就是用起来渐变时灯有些闪，还没找到原因：
原因找到了，原来是做过零检测的变压器接到了负载（白炽灯）之后了，造成中断信号受到干扰引起闪烁！！
程序上又稍改了一下时间参数，无级渐变，淡入淡出，见26楼视频效果，这个程序很给力：
引用见第26楼xinqi99于2011-03-03 12:55发表的 :
视频效果（00:02:31）
#include <reg52.h>
#define uint unsigned int
#define uchar unsigned char
#define ON 0
#define OFF 1
………………………………
void main()
{
TMOD = 0x11;
EA=1;
TCON=0x05;
………………
for(;;)
{
DispInfo( );
Display( );
keyscan( );
}
}
…………………………
void keyscan()
{
……………………
if(S1_num==0)
{
if (S2==0)
mDelay(10);
if (S2==0)
if (K_Less30s>59)
{
LampGradual();
}
}
}
void LampGradual()
{
Gradual=Lamp1;
K_Less30s=0; //按开关灯键间隔小于30秒标记及时长记录
EX0=1; //开外部中断0
ET0=1;
TR0=1;
ET1=1; //定时器1中断允许
IT0=1; //INT0为下降沿触发（以前忘了这个，渐变时却不亮，呵呵）
On_Init=7000; //渐开定时触发初始化为10ms,并递减
Off_Init=4000; //渐关定时触发初始化为0ms,并递增
}
// ********************************************************************
void timer0() interrupt 1 //实时时钟中断程序
{
TH0=(65536-50000)/256;
TL0=(65536-50000)%256;
Time50ms++;
if(Time50ms==20) //实时时钟走时累计
{
Time50ms=0;
Sec++;
if(K_Less30s<60) //|| OnTime==1 || OffTime==1 //***********按键后或定时时间到后开关灯*************
{
K_Less30s++;
if(K_Less30s==30) //30秒后********
{
K_Less30s=60; //封闭渐开渐关操作,
Lamp1=~Gradual;
EX0=0; //30秒后关中断
ET1=0; //30秒后关定时器1
ET0=0;
TR0=0;
}
}
}
}
void INT0_AC0() interrupt 0 //外部中断0，AC过0时，50Hz交流电每秒过零100次,每次间隔10ms
{
ET1=1; //定时器1中断允许
TR1=0; //定时器1开始计时
if(Gradual==OFF) //渐开
{
--On_Init; //On_Init-=2; //每10ms
a=(65536-On_Init)/256; //定时初值
b=(65536-On_Init)%256;
}
if(Gradual==ON) //渐关
{
++Off_Init; //Off_Init+=2;
a=(65536-Off_Init)/256;
b=(65536-Off_Init)%256; //
} //
TH1=a;
TL1=b;
TR1=1; //开始计时
}
void timer1() interrupt 3 //定时器1中断程序（灯渐变移相控制）
{
uchar i;
Lamp1=ON; //灯1的触发脉冲
{
for(i=0;i<2;i++); //延时 X μs
Lamp1=OFF;
}
}
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3063是过零打开的，没法调整导通角的，硬件上就不行了。个人建议还是换个光耦。
这个要选择3020系列的非过零检测的光耦，不过本人也不做硬件这类的，3020峰值电压400v不知道耐压够不，程序我不会写，可以给你个思路，自己写程序
你 要一个过零检测电路，一个可控硅触发电路，这个你应该不成问题了，程序上，一个半波10ms，你要几级调光就分把这个10ms分几份，不是等份哦，要不调 光不均匀的，你可以自己实验，我也说不上，每次单片机检测到过零信号后就在，如果你要开的是第几档，你就在花去前面几档的时间后给空空硅电路一个触发信 号，然后等下一个过零信号。
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过零检测电路图
发布: | 作者: | 来源: tianhaizhou | 查看:1598次 | 用户关注：
如下图所示为按上述思想设计的电压正向过零检测电路。220V的交流电首先经过电阻分压,然后进行光电耦合,假设输入的是A相电压,则在A相电压由负半 周向正半周转换时,图中三极管导通并工作在饱和状态,会产生一个下降沿脉冲送入ADμC812的INT0引脚使系统进入中断程序。微机系统进入中断程序 后,发出采样命令并从采样保持器读取无功电流值Iqm,这个无功电流即为A相的无功电流,经过1/4个周期电压达到最大值,此时对电压进行采样,得到 UM,由UM=1.414U可以得到电压有效值U。
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过零检测电路，如果需要十分精准可以用电阻分压后用电压比较器 
过零的电阻只用一个100K很危险的，还是用两个50K比较好。功率耐压的问题。
因为是双向触发所以频率有100hz哦，还行基本看不出闪
