摘要：
高速时钟提供给芯片主体的主时钟.低速时钟只是提供给芯片中的RTC（实时时钟）及独立看门狗使用。内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的，起振较快，所以时钟在芯片刚上电的时候，默认使用内部高速时钟。而外部时钟信号是由外部的晶振输入的，在精度和稳定性上都有很大优势，所以上电之后我们再通过软件配置，转而采用外部时钟信号.STM32有以下4个时钟源: 高速外部时钟（HSE）：以外部晶振作时钟源，晶振频率可取范围为4~16MHz，我们一般采用8MHz的晶振。 高速内部时钟（HSI）： 由内部RC振荡器产生，频率为8MHz，但不稳定。低速外部时钟（LSE）：以外部晶振作时钟源，主要提供给实时时钟模块，所以.. 阅读全文
摘要：
1、安装MDK环境，下载程序的第三方软件mcuisp。 BOOT0开关拨到VCC、自动搜索串口、开始编程按钮，如果程序下载成功后则会打印出下面红色框中的信息、程序下载成功之后，需要将BOOT0开关拨到GND，然后按下我们的复位按键就可以看到实验想象了（也可以通过如下设置）。 开始编程按钮时，还会出现mcuisp一直处于连接的状态，导致程序下载不了，如下截图所示。解决的方法是只需我们按一下开发板中的复位按键即可。 2.在线调试器、JLINK 驱动安装与MDK环境搭建。 3.如何新建工程模板。新建工程，选择芯片型号、接下来的窗口问我们是否需要拷贝STM32的启动代码到工程文件中，这份启动代码在M. 阅读全文
摘要：
一、计算方法如下：先计算Track的截面积，大部分PCB的铜箔厚度为35um（即 1oz）它乘上线宽就是截面积，注意换算成平方毫米。有一个电流密度经验值，为15~25安培/平方毫米。把它称上截面积就得到通流容量。I=KT0.44A0.75（K为修正系数，一般覆铜线在内层时取0.024，在外层时取0.048; T为最大温升，单位为摄氏度(铜的熔点是1060℃); A为覆铜截面积，单位为平方MIL(不是毫米mm，注意是square mil.); I为容许的最大电流，单位为安培(amp)一般 10mil=0.010inch=0.254可为1A，250MIL=6.35mm, 为 8.3A二、数据: P 阅读全文