摘要: 高速时钟提供给芯片主体的主时钟.低速时钟只是提供给芯片中的RTC(实时时钟)及独立看门狗使用。内部时钟是在芯片内部RC振荡器产生的,起振较快,所以时钟在芯片刚上电的时候,默认使用内部高速时钟。而外部时钟信号是由外部的晶振输入的,在精度和稳定性上都有很大优势,所以上电之后我们再通过软件配置,转而采用外部时钟信号.STM32有以下4个时钟源: 高速外部时钟(HSE):以外部晶振作时钟源,晶振频率可取范围为4~16MHz,我们一般采用8MHz的晶振。 高速内部时钟(HSI): 由内部RC振荡器产生,频率为8MHz,但不稳定。低速外部时钟(LSE):以外部晶振作时钟源,主要提供给实时时钟模块,所以.. 阅读全文
posted @ 2012-12-24 20:48 奔流聚海 阅读(7756) 评论(0) 推荐(1) 编辑
摘要: 1、安装MDK环境,下载程序的第三方软件mcuisp。 BOOT0开关拨到VCC、自动搜索串口、开始编程按钮,如果程序下载成功后则会打印出下面红色框中的信息、程序下载成功之后,需要将BOOT0开关拨到GND,然后按下我们的复位按键就可以看到实验想象了(也可以通过如下设置)。 开始编程按钮时,还会出现mcuisp一直处于连接的状态,导致程序下载不了,如下截图所示。解决的方法是只需我们按一下开发板中的复位按键即可。 2.在线调试器、JLINK 驱动安装与MDK环境搭建。 3.如何新建工程模板。新建工程,选择芯片型号、接下来的窗口问我们是否需要拷贝STM32的启动代码到工程文件中,这份启动代码在M. 阅读全文
posted @ 2012-12-24 11:28 奔流聚海 阅读(1327) 评论(0) 推荐(0) 编辑
摘要: 一、计算方法如下:先计算Track的截面积,大部分PCB的铜箔厚度为35um(即 1oz)它乘上线宽就是截面积,注意换算成平方毫米。有一个电流密度经验值,为15~25安培/平方毫米。把它称上截面积就得到通流容量。I=KT0.44A0.75(K为修正系数,一般覆铜线在内层时取0.024,在外层时取0.048; T为最大温升,单位为摄氏度(铜的熔点是1060℃); A为覆铜截面积,单位为平方MIL(不是毫米mm,注意是square mil.); I为容许的最大电流,单位为安培(amp)一般 10mil=0.010inch=0.254可为1A,250MIL=6.35mm, 为 8.3A二、数据: P 阅读全文
posted @ 2012-12-24 09:47 奔流聚海 阅读(1042) 评论(0) 推荐(0) 编辑