CCD 芯片与 CMOS 芯片的主要参数有哪些？

在机器视觉中主要采用的两类光电传感芯片分别为 CCD 芯片和 CMOS 芯片，CCD 是 Charge Coupled Device(电荷耦合器件)的缩写，CMOS 是 Complementary Metal-Oxide-Semiconductor Transistor(互补金属氧化物半导体)的缩写。无论是 CCD 还是 CMOS，他们的作用都是通过光电效应将光信号转换成电信号（电压/电流），进行存储以获得图像。CCD 芯片与 CMOS 芯片的主要参数有：

1. 像元尺寸
   像元尺寸指芯片像元阵列上每个像元的实际物理尺寸，通常的尺寸包括 14um,10um, 9um , 7um ,
   6.45um ,3.75um 等。像元尺寸从某种程度上反映了芯片的对光的响应能力，像元尺寸越大，能够接收到的光子数量越多，在同样的光照条件和曝光时间内产生的电荷数量越多。对于弱光成像而言，像元尺寸是芯片灵敏度的
   一种表征。
2. 灵敏度
   灵敏度是芯片的重要参数之一，它具有两种物理意义。一种指光器件的光电转换能力，与响应率的意义相同。即芯片的灵敏度指在一定光谱范围内，单位曝光量的输出信号电压（电流），单位可以为纳安/勒克斯 nA/Lux、伏/瓦（V/W）、伏/勒克斯（V/Lux）、伏/流明（V/lm）。另一种是指器件所能传感的对地辐射功率（或照度），与探测率的意义相同，。单位可用瓦（W）或勒克斯（Lux）表示。
3. 坏点数
   由于受到制造工艺的限制，对于有几百万像素点的传感器而言，所有的像元都是好的情况几乎不太可能，坏点数是指芯片中坏点（不能有效成像的像元或相应不一致性大于参数允许范围的像元）的数量，换点数是衡量芯片质量的重要参数。
4. 光谱响应
   光谱响应是指芯片对于不同光波长光线的响应能力，通常用光谱响应曲线给出。