11 2024 档案
MOSFET栅极损耗计算
摘要:博客园编写文字的大小和颜色啥的不能调整真的很麻烦 计算MOSFET栅极损耗之前先看一下RC充电电路 在下面的推导中,计算了电阻上消耗的能量,电容最终存储的能量。推导公式一般的电路书的一阶电路中应该都会有。 最终发现RC电路中,电阻上消耗的能量等于电容上存储的能量,既就是电源需要提供两倍的能量才能给电
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MOSFET栅极驱动电阻计算
摘要:从两个方面计算一下MOSFET栅极驱动电阻 参考MOSFET:IRFP4227PBF 参考栅极驱动器:UCC21520DW 参考资料:适用于栅极驱动器的外部栅极电阻器设计指南 一、从限流方面设计栅极驱动电阻 在MOSFET充放电回路如下图所示,栅极驱动器电阻Rdri,栅极驱动电阻Rg,MOSFET寄
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zyqn7000串口中断阻塞
摘要:一、问题描述 在最近使用Ps串口中断的时候出现了一个很怪的现象:我一共使用了俩类中断:TTC中断以及串口中断,同时我在main函数中使用TTC中断标志使用printf打印了别的东西,结果出现了整个程序只能卡在串口中断 二、代码展示 如果将189-194行注释掉,那么整个系统是能够按照预期运行的,但是
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MOSFET上电启动
摘要:最近看了一下mosfet的东西,写一下mosfet上电启动过程,mosfet为增强型nmosfet 开启 在分析之先了解一下MOSFET的一种模型, MOSFET上电启动波形 下图为理想上电过程 首先从起始到终止的角度来说: 项目 初始 终态 Vgs 0 Vgs Vds Vdd 0 Vgd -Vdd
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杂散电感对二极管反向恢复期间影响_LTSPICE
摘要:前言 二极管两端不加电压的时候本身就存在空间电荷区. 当二极管接正向电压,空间电荷区被削弱,二极管正向导通. 当二极管接反向电压,空间电荷区顺势增强,极大的阻碍了载流子移动,此时二极管截止. 那么当二极管由正向导通转变为反向导通,空间电荷区从被削弱状态到空间电荷区变得更宽,就会产生一个反向恢复电流,
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