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计算MOSFET栅极损耗之前先看一下RC充电电路 在下面的推导中,计算了电阻上消耗的能量,电容最终存储的能量。推导公式一般的电路书的一阶电路中应该都会有。 最终发现RC电路中,电阻上消耗的能量等于电容上存储的能量,既就是电源需要提供两倍的能量才能给电容充一份能量。 或者说RC充电效率在0.5

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MOSFET栅极充电电路其实就是一个RC充电电路,因此计算栅极驱动损耗也就变成了计算电容最终需要存储多少能量的问题
电容能量:

W = 1 2 C u 2

将其中的u替换为Vgs即可。
但是W=Pt,因此损耗功率为:

p = 2 w t

乘2是因为一个周期内RC需要充电以及放电,将其中的t替换为开关周期Ts即可,因此栅极损耗为:

P = 2 × 1 2 c u 2 t = c u 2 T s = Q g V g s f s
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