前言
二极管两端不加电压的时候本身就存在空间电荷区.当二极管接正向电压,空间电荷区被削弱,二极管正向导通.
当二极管接反向电压,空间电荷区顺势增强,极大的阻碍了载流子移动,此时二极管截止.
那么当二极管由正向导通转变为反向导通,空间电荷区从被削弱状态到空间电荷区变得更宽,就会产生一个反向恢复电流,反向恢复电压,这是二极管反向恢复特性.
但是如果二极管两端由于PCB布局布线或者其他原因存在较大杂散电感的时候,这种特性会被恶化.
1. 当二极管两端无杂散电感,肖特基二极管
当MOSFET关闭的时候,二极管处于导通状态,二极管两端电压为导通压降大概不到1V,二极管流过电路为输出电流5.5A左右.
当MOSFET导通的时候,二极管处于截止状态,二极管两端电压为母线电压25V,二极管流过电流几乎为零(其实还有一个反向漏电流,具体需要查看手册,与温度也有关系)
那么此时当MOSFET从关闭到导通,二极管上就会出现一个反向恢复特性.
当使用肖特基二极管并且不存在杂散电感的情况下,电路的运行状态还是很乐观的.
2. 当二极管两端存在杂散电感,肖特基二极管
杂散电感恶化了肖特基二极管的反向恢复特性,并带来了高频振铃,这显然不是我们想要的,但是从数值来说,这个值是我们能够接受的一个值.
3. 当二极管两端无杂散电感,普通硅二极管
在没有杂散电感的情况下,普通硅二极管的反向恢复特性,没有过多的震荡,几乎没有反向恢复电压的出现,但是反向恢复电流还是很大.因为普通硅二极管本身恢复特性就比较差,或者说肖特基二极管优化了反向恢复特性.
4. 当二极管两端存在杂散电感,普通硅二极管
由此可见,杂散电感恶化了二极管的反向恢复特性,不仅带来了反向恢复电压,同时还产生了高频振铃,当然在此处也不是很严谨,因为在开关电源中一般使用肖特基.
